利用双极型晶体管的基区-发射区电压差△VBE在不同电流密度偏置下具有正温度系数，而其本身的基区-发射区电压VBE具有负温度系数，这两个电压线性叠加，得到较合适的近似零温度系数的基准电压源。该带隙基准电压源电路增加了启动电路和PTAT电生电路，其中PTAT电生电路是该基准源的，通过对电路的分析与研究，给出了基于0.5μm高压BiCMOS工艺下的带隙基准电压源的设计和结果。如果您需要高温基准电压，请与陕西妙奇微电子科技有限公司的销售人员联系。
运用半导体集成电路技术制成的基准电压源种类较多，高温基准电压150度，如深埋层稳压管集成基准源、双极型晶体管集成带隙基准源、CMOS集成带隙基准源等。“带隙基准源”是七十年代初出现的一种新型器件，它的问世使基准器件的指标得到了新的飞跃。由于带隙基准源具有高精度、低噪声的优点，因而广泛应用于电压调整器、数据转换器(A/D， D/A)、集成传感器、大器等，高温基准电压225度，以及单独作为精密的电压基准件，低温漂等许多微功耗运算放。陕西妙奇微电子科技有限公司，高温基准电压，代理各类高温电子产品，欢迎选购！
基准电压在电路中实现方式有五种：（1）电阻分压：只能作为放大器的偏置电压或提供放大器的工作电流。2）普通正向二极管：不依赖于电源电压的恒定基准电压，但其电压的稳定性并不高，且温度系数是负的，约为-2mV/℃；（3）齐纳二极管：可克服正向二极管作为基准电压的一些缺点，但其温度系数是正的，3.3V高温基准电压，约为+2mV/℃；陕西妙奇微电子科技有限公司，成立多年来，一直在石油电子领域，期待与您的合作共赢！
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