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ASEMI低压降肖特基二极管SB10100LFCT采用的是ITO-220AB全塑封装，SB10100LFCT采用进口俄罗斯米克朗56mil双芯片，高抗冲击性能与一致性能提升40%以上。保证其参数可以达到:10A为正向整流，许昌肖特基二极管，100V为反向耐电压，150A峰值浪涌电流，0.54v正向压降以及20UA漏电流。这款封装很大优势在于绝缘性与阻燃性表现非常好。采用了环氧树脂封装材料，肖特基二极管参数，封装强度高保障内部芯片、焊片、框架，不氧化不碎裂不漏电。
ASEMI肖特基二极管MBR60200PT
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ASEMI肖特基二极管采用高抗冲击力的米开朗其罗芯片，是整流业内。
●本产品为共阴二极管符号标示
●【一般是两端输入，中间输出】
●【 表示里面集成两个二极管 】
●【MBR30200PT】代表本产品的完整型号
●【MBR】代表肖特基二极管
●【30】代表其正向电流为30A
●【200】代表其反向耐压为200V
●【PT】代表其是TO-247/3P大封装
●台湾原装”ASEMI“品牌LOGO
●A = advanced（***的）
●SEMI = semiconductor （半导体）
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ASEMI肖特基MBR60200PT的外观，本节我们以它为列，通过讲解其各项参数，会让你对整个肖特基产品系列有一个更深入的了解，贴片肖特基二极管，为了更直观方便的说明，我们以MBR60200PT的规格书为模板进行解说：
下图截取的就是肖特基MBR60200PT参数页面文档，我们会自上而下逐条讲解每个参数所代表的意义及作用
Maximal Inverted Repetitive Peak Voltage ——反向重复峰值电压
***erage Rectified Forward Current ——平均整流正向电流
Typical Thermal Resistance (per leg)——典型热阻（每条腿)
Forward Peak Surge Current ——正向峰值浪涌电流
Peak Repetitive Reverse Surge Current ——峰值反向重复浪涌电流
Maximum Rate of Voltage Change (at Rated VR)——电压变化率（额定VR）
Operating Junction Temperature—— 工作温度
Storage Temperature ——储存温度
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