铟金属可提高二硼化镁超导临界电流密度：在超导体二硼化镁里添加铟金属粉末，大大提高了二硼化镁超导临界电流密度，高纯铟粉，向实用化又前进了一步。通过超导体的电流密度在超过某一数值时，超导体就失去了超导性，这一数值就是超导临界电流密度。它是衡量超导体性能的一个重要指标。向二硼化镁里添加铟金属粉末，在2000摄氏度下热处理后加工成为电线，其超导临界电流密度比不添加铟提高了4倍，纳米铟粉，达到每平方厘米10万安培。这是铟金属渗透在二硼化镁的晶粒之间，从而改善了它的结合性。
化合物5是In~(3+)与cis-1，4-pda~(2-)形成的1D非共面的双链结构，化合物6和7则都是由–In-OH-In-OH–棒状次级结构基元形成的的3D网络结构。化合物5-7的合成主要是考察了柔性不同的二羧酸配体对产物结构的影响。 [7] 3. In(Ⅲ)与旋光性的D-樟脑酸（D-H_2Cam），在溶剂热的条件下合成了一个3D具有单一手性结构的铟配位聚合物InH(D-C_(10)H_(14)O_4)_2(8)。经拓扑分析可得，化合物8具有dia拓扑结构。
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