测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门极漏流）、IGESR（反向门极漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门极电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集极漏流）、VF（二极管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数， 所有小电流指标保证1%重复测试精度， 大电流指标保证2%以内重复测试精度。3电流持续时间It：10~1000us单个脉冲或双脉冲的总时间。
半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，变频器用IGBT测试仪现货供应，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。每个电流模块，都具有***的供电系统，以便在测试时，变频器用IGBT测试仪，提供内部电路及电池组充电之用； 可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。C：脉冲宽度50uS~300uS D：Vce测量精度2mV E：Vce测量范围>。
IGBT半导体器件测试系统的主要应用领域概括如下：
?半导体元器件检测中心——应用本公司测试系统可扩大检测中心的检测范围、提高检测效率，变频器用IGBT测试仪批发，提升检测水平，增加经济效益；
?半导体元器件生产厂 —— 应用本公司测试系统可对半导体元器件生产线的成品进行全参数的测试、筛选、分析，以确保出厂产品的合格率；
?电子电力产品生产、检修厂——应用本公司测试系统可对所应用到的半导体元器件，变频器用IGBT测试仪价格，尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；
?航天、领域 ——— 应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；
11）动态测试续流二极管
用于防止测试过程中的过电压。
?压降小于1V
?浪涌电流大于20kA
?反向***时间小于2μs
?工作温度室温～40℃
?工作湿度<70%
12）安全工作区测试续流二极管
?浪涌电流大于20kA
?反向***时间小于2μS
?工作温度室温～40℃
?工作湿度<70%
13）被测器件旁路开关
被测安全接地开关，设备不运行时，被测接地。
?电流能力DC 50A
?隔离耐压15kV
?响应时间150ms
?工作方式气动控制
?工作气压0.4MPa
?工作温度室温～40℃
?工作湿度<70%
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