光刻胶的组成
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树脂( resin/polymer)，光刻胶中不同材料的粘合剂，给与光刻胶的机械与化学性质( 如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等);感光剂，感光剂对光能发生光化学反应;溶剂(Solvent)，保持光刻胶的液体状态，使之具有良好的流动性;添加剂( Additive )，用以改变光刻胶的某些特性，如改善光刻胶发生反射而添加染色剂等。负性光刻胶。树脂是聚异戊二烯，光刻胶生产厂家，一-种天然的橡胶;溶剂是;感光剂是一种经过***后释放出氮气的光敏剂，产生的自由基在橡胶分子间形成交联。从而变得不溶于显影液。负性光刻胶在***区由溶剂引起泡涨;***时光刻胶容易与氮气反应而***交联。
微流控芯片硅片模具加工如何选择光刻胶呢？
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一般来说线宽的用正胶，线窄的用负胶，正性光刻胶比负性的精度要高，光刻胶报价，负胶显影后图形有涨缩，负性胶限制在2~3μm.，而正性胶的分辨力优于0.5μm 导致影响精度，正性胶则无这方面的影响。虽然使用更薄的胶层厚度可以改善负性胶的分辨率，但是薄负性胶会影响。同种厚度的正负胶，在对于抗湿法和腐蚀性方面负胶更胜一筹，正胶难以企及。
光刻胶按用途分类
光刻胶经过几十年不断的发展和进步，应用领域不断扩大，衍生出非常多的种类，按照应用领域，吉林光刻胶，光刻胶可以划分为印刷电路板(PCB)用光刻胶、液晶显示(LCD)用光刻胶、半导体用光刻胶和其他用途光刻胶。其中，PCB 光刻胶技术壁垒相对其他两类较低，而半导体光刻胶代表着光刻胶技术水平。
(1)半导体用光刻胶
在半导体用光刻胶领域，光刻技术经历了紫外全谱(300～450nm)、G 线(436nm)、I 线 (365nm)、深紫外(DUV，包括 248nm 和 193nm)和极紫外(EUV)六个阶段。相对应于各***波长的光刻胶也应运而生，光刻胶中的关键配方成份，如成膜树脂、光引发剂、添加剂也随之发生变化，使光刻胶的综合性能更好地满足工艺要求。
(2)LCD光刻胶
在LCD 面板制造领域，光刻胶也是极其关键的材料。根据使用对象的不同，可分为 RGB 胶(彩色胶)、BM胶(黑色胶)、OC 胶、PS 胶、TFT 胶等。
光刻工艺包含表面准备、涂覆光刻胶、前烘、对准***、显影、坚膜、显影检查、刻蚀、剥离、终检查等步骤，以实现图形的转移，制造特定的微结构。
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