公司拥有一批长期从事自动控制与应用、计算技术与应用、微电子技术、电力电子技术方面的人才。1 机台可测试器件类型 二极管、MOSFET、IGBT单管及模组 * 3。公司装备精良，具有***的检测手段，封装用IGBT测试仪批发，产品生产严格按照ISO9001∶2008标准质量管理体系运行，其品质、技术及工艺方面保持国内，部分产品达到国外同类产品的***水平。产品广泛应用于电力、冶金自动化、轨道交通、电力电子新能源开发等行业，部分产品出口到欧美等发达***。
3、技术指标*3.1机台可测试器件类型二极管、MOSFET、IGBT单管及模组*3.2机台可测IGBT项目及测试范围VGE(th)栅极阈值电压VCES集射极截止电压ICES集射极截止电流VCE(sat)饱和导通压降Iges栅极漏电流VF二极管导通电压可以测5000V，1600A以下的IGBT模块*3.3机台可测MOS项目Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、***(on)、Gfs3.4测试项目测量范围测试条件与精度*3.5 VGE(th)栅极阈值电压0.1～10VVGE：0.1～10V±1%±0.01V；解析度：0.01V集电极电流Ic：10～50mA±1%±0.5mA；IGBT动态参数测试系统技术要求1、设备概述该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；
测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门极漏流）、IGESR（反向门极漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门极电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集极漏流）、VF（二极管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数，封装用IGBT测试仪厂家， 所有小电流指标保证1%重复测试精度，封装用IGBT测试仪， 大电流指标保证2%以内重复测试精度。数据采集后，后台软件自动及时绘出相应图表，以方便现场判断使用。
半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，封装用IGBT测试仪价格，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。优势行业：电力设备、地铁、铁路动力车组和运用大功率半导体器件进行设计、制造的行业。每个电流模块，都具有***的供电系统，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用； 可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。
封装用IGBT测试仪批发-华科大功率IGBT由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司为客户提供“IGBT测试仪,功率器件测试仪,首件检测仪”等业务，公司拥有“华科智源,HUSTEC,”等品牌，专注于电子测量仪器等行业。用户能对旧品元件作筛选，留下可用元件，确实掌握设备运转的可靠度。，在深圳市宝安区西乡街道智汇创新中心B座606的名声不错。欢迎来电垂询，联系人：陈少龙。
