华科智源IGBT测试仪制造标准华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。负载电感 配备自动切换开关，可分别接通不同电感值，由计算机控制自动接通。GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）GB 13869-2008 用电安全导则GB19517-2004 ***电器设备安全技术规范GB 4208-2008 外壳防护等级（IP 代码）（IEC 60529：2001，IDT）GB/T 191-2008 包装储运图示标志GB/T 15139-1994 电工设备结构总技术条件GB/T 2423 电工电子产品环境试验GB/T 3797-2005 电气控制设备GB/T 4588.3-2002 印制板的设计和使用GB/T 9969-2008 工业产品使用说明书总则GB/T 6988-2008 电气技术用文件的编制GB/T 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2 部分:整流二极管
主要参数测试范围精度要求测试条件
Vce
集射极电压150～3300V150～500V±3%±1V；
500～1000V±2%±2V；
1000～3300V±1%±5V；150～3300V
Ic
集射极电流1～200A1～200A±3%±1A；1～200A
Vge
栅极电压-30V～30V-30～0V±1%±0.1V；
0～+30V±1%±0.1V-30V～30V
Qg
栅极电荷400~20000nCIg: 0～50A±3%±0.1mA;400~20000nC
td(on)、td(off)
开通/关断延迟10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns
tr、tf
上升/下降时间10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；
Eon、Eoff
开通/关断能量1～5000mJ1～50mJ±2%±0.1mJ；
50～200mJ±2%±1mJ；
200～1000mJ±2%±2mJ；
1000～5000mJ±1%±5mJ；
