华科智源IGBT测试仪针对 IGBT 的各种静态参数而研制的智能测试系统；测试条件中待输入的数字，必须依照元件生产厂所提供的规格来输入，而测量结果，亦必须在其所规定的限额内，否则，便为不良品。自动化程度高（按照操作人员设定的程序自动工作），封装用IGBT测试仪加工，计算机可以记录测试结果，封装用IGBT测试仪厂家，测试结果可转化为文本格式存储，测试方法灵活（可测试器件以及单个单元和多单元的模块测试），安全稳定（对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁），具有安全保护功能，封装用IGBT测试仪批发，测试速度方便快捷。
3、技术指标*3.1机台可测试器件类型二极管、MOSFET、IGBT单管及模组*3.2机台可测IGBT项目及测试范围VGE(th)栅极阈值电压VCES集射极截止电压ICES集射极截止电流VCE(sat)饱和导通压降Iges栅极漏电流VF二极管导通电压可以测5000V，1600A以下的IGBT模块*3.3机台可测MOS项目Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、***(on)、Gfs3.4测试项目测量范围测试条件与精度*3.5 VGE(th)栅极阈值电压0.1～10VVGE：0.1～10V±1%±0.01V；解析度：0.01V集电极电流Ic：10～50mA±1%±0.5mA；50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；当元件损毁时，会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤，所以，必须即早发现更换。
（3）设备的功能特点1）各种数据以图形方式在检测时实时显示与记录。数据采集后，后台软件自动及时绘出相应图表，封装用IGBT测试仪，以方便现场判断使用。2）具有大容量的数据采集能力。测试数据直接进入控制电脑，这样使得采集数据的容量为大。3）具有内置的软件，帮助提供自动判断。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加)，进而使半导体的接口产生大量崩溃，而将此元件完全烧毁。4）具有方便的历史数据存储及检索功能。
封装用IGBT测试仪厂家-华科智源(推荐商家)由深圳市华科智源科技有限公司提供。“IGBT测试仪,功率器件测试仪,首件检测仪”选择深圳市华科智源科技有限公司，公司位于：深圳市宝安区西乡街道智汇创新中心B座606，多年来，华科智源坚持为客户提供好的服务，联系人：陈少龙。欢迎广大新老客户来电，来函，亲临指导，洽谈业务。华科智源期待成为您的长期合作伙伴！（2）主要技术参数 1）基本参数 功率源： 5000V1200A 2）栅极-发射极漏电流IGES IGES： 0。
