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重庆高压陶瓷电容器

现阶段研制开发重庆高电压陶瓷电容器有钛酸钡基瓷和钛酸锶。类钛酸钡基陶瓷材料有不错的交流耐压性能与介电系数，但存在着介质温度升高、绝缘电阻降低等问题。表明：钛酸锶晶体在-250℃时居里温度为-250℃，是一种顺电体，且无自发极化，成都陶瓷电容器，在重庆高电压下，陶瓷材料介电系数变化小，tgδ及电容变化率小，因此它作为高压电容器介质具有不错的优势。

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视频作者：四川华瓷科技有限公司

陶瓷电容的作用

瓷介电容器又被称作陶瓷电容器，它以陶瓷为介质，涂上金属薄膜，经高温烧结而形成电极，再在电极上焊上引出线，外表涂以保护磁漆，或用环氧树脂及酣自主树脂包封，电容器，即成为瓷介电容器。那作为瓷介电容器介质的陶瓷材料是由各种原料按照不同的配方经高温烧结后制成的，陶程材料配方不同，它的电性能也不-样。

利用这一点，就可以制造出各种不同介电常数和不同温度系数的电容器，以满足不同的使用要求

①由于电容器的介质材料为陶瓷，重庆供应贴片电容器厂家，所以耐热性能良好，不容易老化。

②瓷介电容器能耐酸碱及盐类的腐蚀，抗腐蚀性好。

③低频陶瓷材料的介电常数大，因而低频瓷介电容器的体积小、容量大。

④绝缘性能好，可制成高压电容器。

⑤高频陶瓷材料的损耗角正切值与频率的关系很小，因而在高频电路可选用高频瓷介电容器。

⑥价格便宜，原材料丰富，适宜大批量生产。

⑦瓷介电容器的电容量较小，机械强度较低。

以上介绍的就是关于瓷介电容的优点，瓷介电容它具有很高的介电常数，广泛应用于对容量稳定性和损耗要求不高的场合。

C0G类MLCC的容量多在1000pF以下，该类电容器低功耗涉及的主要性能指标是损耗角正切值tanδ(DF)。传统的电极(NME)的C0G产品DF值范围是(2.0～8.0)×10-4，重庆MLCC电容器供应商，而技术创新型碱金属电极(BME)的C0G产品DF值范围为(1.0～2.5)×10-4，约是前者的(31～50)%。该类产品在载有T/R模块电路的G***、CDMA、无绳电话、蓝牙、GPS系统中低功耗特性较为显著。

X7R(X5R)类MLCC的容量主要集中在1000pF以上，该类电容器低功耗主要涉及的性能指标是等效串联电阻(ESR)。