光刻胶定义
光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外***或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。因为光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法，因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。
光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。当紫外光或电子束的照射时，光刻胶材料本身的特性会发生改变，经过显影液显影后，***的负性光刻胶或未***的正性光刻胶将会留在衬底表面，这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上，而后续的刻蚀、沉积等工艺，就可进一步将此图案转移到光刻胶下面的衬底上，负性光刻胶供应商，然后再使用除胶剂将光刻胶除去就可以了。
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硅片模具加工如何选择光刻胶呢？
注意事项：
①若腐蚀液为碱性，则不宜用正性光刻胶；
②看光刻机型式，若是投影方式，负性光刻胶哪家好，用常规负胶时氮气环境可能会有些问题
③负性胶价格成本低，正性胶较贵；
④工艺方面：负性胶能很好地获得单根线，而正性胶可获得孤立的洞和槽；
⑤健康方面：负性胶为有机溶液处理，不利于环境；正性胶属于水溶液，对健康、环境无害。
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光刻胶的主要技术参数
1．灵敏度（Sensitivity）
灵敏度是衡量光刻胶***速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，安徽负性光刻胶，所需的***剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。
2．分辨率（resolution）
区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。
光刻胶的分辨率是一个综合指标，影响该指标的因素通常有如下3个方面：
(1) ***系统的分辨率。
(2) 光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。
(3) 前烘、***、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。
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