多层片式陶瓷电容器-片式陶瓷电容器-四川华瓷(查看)

重庆半导体陶瓷电容器

（1）对BaTiO3来讲，晶界层陶瓷电容晶粒生长发育比较完整的BaTiO3半导体表面，多层片式陶瓷电容器，涂覆恰当的金属氧化物，在恰当的温度下热处理，氧化膜与BaTiO3形成低共溶液相，沿开口气孔和晶界迅速扩散，在陶瓷内部形成一层薄薄的固溶体绝缘层。这一薄的固溶体绝缘层具有很高的电阻率，尽管陶瓷粒子内部还是以半导体为主，但是整个陶瓷体在显介电常数上表现出2×104~8×104的高质量绝缘介质。

（2）重庆表面陶瓷电容，电容器的微型化，即电容器以小的体型得到尽可能大的容量，片式陶瓷电容器，是电容器发展的趋势之一。对分离电容器组件来讲，微型化的基本途径有两条：①尽量提高介质材料的介电常数；②使介质层厚度尽量减小。对于陶瓷材料，铁电陶瓷具有非常高的介电常数，但是，要想用铁电陶瓷制作普通铁电陶瓷电容时，陶瓷介质很难实现。是由于铁电陶瓷强度低，在薄板上易碎裂，难以实际生产操作；第二，陶瓷介质很薄，易产生各种***缺陷，生产工艺困难。

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视频作者：四川华瓷科技有限公司

    片式陶瓷电容器

但说白了较弱温度特性的缺陷就是指，片式陶瓷电容器用在哪里的，重庆贴片电容器限制于物质原材料中采用的钛酸钡（BaTiO3）高介电常数型（class2）的双层陶瓷电容器。应用二氧化钛（TiO2）class1的双层陶瓷电容器在-55～ 125℃的范畴中，容积的温度指数超大型转变仅有±60ppm/℃。

可是二氧化钛的相对性介电常数较小，重庆贴片电容器不可以做大空间。 存有直流电压特性（DC参考点特性）。说白了直流电压特性就是指，假如在双层陶瓷电容器上增加直流电源，重庆贴片电容器会造成合理静电感应容积降低的状况。

    Ⅰ类陶瓷的温度特性

Ⅰ类陶瓷的温度特性以及表明方式Ⅰ类陶瓷的温度容积特性(TCC)十分小，企业通常在ppm/℃，容积较基准值的变动通常远低于1皮法。美国电子器件行业规范选用浙江陶瓷电容器英文字母 数据 英文字母这类编码方式来表明Ⅰ类陶瓷温度指数。

例如常用的C0G。重庆陶瓷电容器C0G意味着的温度指数到底多少钱？C表明电容器温度指数的有效数字为0ppm/℃0表明有效数字的倍乘因素为-1重庆陶瓷电容器(即10的0三次方)G表明随温度转变的输出精度为±30ppm