失效模式分析
(1)在电场作用下,陶瓷电容器的击穿 ***遵循弱点击穿理论,而局部放电是产生弱点***的根源。除因温度冷热变化产生热应力导致开裂外,多层片式陶瓷电容器应用,对于环氧包封型高压陶瓷电容,无论是留边型还是满银型电容都存在着电极边缘电场集中和陶瓷-环氧的结合界面等比较薄弱的环节。环氧包封陶瓷电容器由于环氧树脂固化冷却过程体积收缩,产生的内应力以残余应力的形式保留在包封层中,并作用于陶瓷-环氧界面,劣化界面的粘结。在电场作用下,组成高压陶瓷电容瓷体的钙钛矿型钛酸锶铁类陶瓷(SPBT)会发生电机械应力,产生电致应变。当环氧包封层的残余应力较大时,二者联合作用极可能造成包封与陶瓷体之间脱壳,产生气隙,片式陶瓷电容器收费,从而降低电压水平。
(2)介质内空洞:导致空洞产生的主要因素为陶瓷粉料内的有机或无机污染、烧结过程控制不当等。空洞的产生极易导致漏电,而漏电又导致器件内局部发热,进一步降低陶瓷介质的绝缘性能从而导致漏电增加。该过程循环发生,不断恶化,导致其耐压水平降低。






阻抗-频率特性:重庆陶瓷电容器片式陶瓷电容器
阻抗-频率特性:
阻抗-频率特性:瓷器贴片电阻具备频率越高,越易于根据的特性。在具体电容器中,阻抗值随频率的提高而无穷大于零,但在具体电容器中,片式陶瓷电容器厂家,阻抗会随频率的提高而升高。结果显示,重庆陶瓷电容器该表现的阻抗-频特性为V字(或U字)曲线图。因为电容器所具备的ESL(等额的的串连电感器)和电容器中间产生LC耦合电路。
自串联谐振频率称之为V字曲线图底端相对应的频率,重庆陶瓷电容器于此值的值即是电容器,在这个值范畴内,它好比一个传感器。除此之外,自共震频率处Q数值零。因此,重庆陶瓷电容器为了更好地让电容器的作用小于自共震频率,就必须作出一些挑选。
Ⅱ类陶瓷
什么叫Ⅱ类陶瓷,有什么特点?Ⅱ类陶瓷电容器(ClassⅡceramiccapacitor)以往称之为为低頻陶瓷电容器(Lowfrequencyceramiccapacitor),指用铁电陶瓷作物质的电容器,片式陶瓷电容器,重庆陶瓷电容器因而也称铁电陶瓷电容器。
这类电容器的电容量随温度呈离散系统转变,重庆陶瓷电容器耗损比较大,经常在电子产品中用以旁通,藕合或用以其他对耗损和电容量可靠性规定低的线路中。重庆陶瓷电容器在其中Ⅱ类陶瓷电容器又分成平稳级和可以用级。X5R,X7R归属于Ⅱ类陶瓷的平稳级,而Y5V和Z5U归属于可以用级。
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