NR73G 6000P光刻胶报价-赛米莱德

4，***

前烘好的存底放在光刻胶衬底放在光刻机上，经与光刻版对准后，进行***，接受光照的光刻胶发生化学变化，形成潜影，

光源与光刻胶相匹配，NR73G 6000P光刻胶报价，也就是光源波长在光刻胶的敏感波段；

对准：指光刻板上与衬底的对版标记应准确对准，这样一套光刻版各版之间的图形才能彼此套准。

***时间，NR73G 6000P光刻胶，由光源强度，光刻胶种类，厚度等决定，

另外，NR73G 6000P光刻胶哪家好，为降低驻波效应影响，可在***后需进行烘焙，称为光后烘焙（PEB）

市场规模

中国半导体产业稳定增长，半导体产业向中国转移。据WSTS和SIA统计数据，2016年中国半导体市场规模为1659.0亿美元，增速达9.2%，大于增长速度（1.1%）。2016年中国半导体制造用光刻胶市场规模为19.55亿元，其配套材料市场规模为20.24亿元。预计2017和2018年半导体制造用光刻胶市场规模将分别达到19.76亿元和23.15亿元，NR73G 6000P光刻胶价格，其配套材料市场规模将分别达到22.64亿元和29.36亿元。在28nm生产线产能尚未得到释放之前，ArF光刻胶仍是市场主流半导体应用广泛，需求增长持续性强。近些年来，半导体厂商在中国大陆投设多家工厂，如台积电南京厂、联电厦门厂、英特尔大连厂、三星电子西安厂、力晶合肥厂等。诸多半导体工厂的设立，也拉动了国内半导体光刻胶市场需求增长。

四、前烘（Soft Bake）

完成光刻胶的涂抹之后，需要进行软烘干操作，这一步骤也被称为前烘。前烘能够蒸发光刻胶中的溶剂溶剂、能使涂覆的光刻胶更薄。

在液态的光刻胶中，溶剂成分占65％－85％。虽然在甩胶之后，液态的光刻胶已经成为固态的薄膜，但仍有10％－30％的溶剂，容易沾污灰尘。通过在较高温度下进行烘培，可以使溶剂从光刻胶中挥发出来（前烘后溶剂含量降至5％左右），从而降低了灰尘的沾污。同时，这一步骤还可以减轻因高速旋转形成的薄膜应力，从而提高光刻胶 衬底上的附着性。

在前烘过程中，由于溶剂挥发，光刻胶厚度也会减薄，一般减薄的幅度为10％－20％左右。