NAND FLASH的结构和特性
通过NAND FLASH的结构原理图，可见每个Bit Line下的基本存储单元是串联的，NAND读取数据的单位是Page，当需要读取某个Page时，FLASH 控制器就不在这个Page的Word Line施加电压，而对其他所有Page的Word Line施加电压（电压值不能改变Floating Gate中电荷数量），让这些Page的所有基本存储单元的D和S导通，而我们要读取的Page的基本存储单元的D和S的导通/关断状态则取决于Floating Gate是否有电荷，有电荷时，Bit Line读出‘0’，无电荷Bit Line读出‘1’，实现了Page数据的读出，可见NAND无法实现位读取（即Random Access），程序代码也就无法在NAND上运行。
不同类别存储器的基本原理
存储器分为易失性存储器和非易失性存储器。
易失性存储器分SRAM和DRAM；非易失性存储器以Nor-flash和Nand-flash为典型代表。DRAMDRAM cell结构由1个MOS和1个电容组成，由电容是否带电荷来区分0和1。不过，由于电容漏电流的原因，DRAM无法长时间保存数据，需要“动态”刷新（刷新周期在亚ms级别）。
DRAM市场发展史
DRAM领域经过几十年的周期循环，数转胶存档机价格，玩家从80年代的40~50家，数转胶存档机多少钱，逐渐减少到了08年***危机之前的五家，分别是：三星(韩)、SK海力士(韩)、奇梦达(德)、镁光(美)和尔必达(日)，数转胶存档机价格，五家公司基本控制了DRAM供给，终端产品厂商如金士顿，几乎没有DRAM生产能力，都要向它们采购原材料。按照常理来说，格局已经趋稳，价格战理应偃旗息鼓，数转胶存档机，可惜的是，韩国人并不答应，尤其是三星。
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