片式陶瓷电容器的生产过程-片式陶瓷电容器-四川华瓷(查看)

重庆半导体陶瓷电容器

（1）对BaTiO3来讲，晶界层陶瓷电容晶粒生长发育比较完整的BaTiO3半导体表面，涂覆恰当的金属氧化物，在恰当的温度下热处理，氧化膜与BaTiO3形成低共溶液相，沿开口气孔和晶界迅速扩散，在陶瓷内部形成一层薄薄的固溶体绝缘层。这一薄的固溶体绝缘层具有很高的电阻率，尽管陶瓷粒子内部还是以半导体为主，但是整个陶瓷体在显介电常数上表现出2×104~8×104的高质量绝缘介质。

（2）重庆表面陶瓷电容，电容器的微型化，片式陶瓷电容器，即电容器以小的体型得到尽可能大的容量，是电容器发展的趋势之一。对分离电容器组件来讲，微型化的基本途径有两条：①尽量提高介质材料的介电常数；②使介质层厚度尽量减小。对于陶瓷材料，铁电陶瓷具有非常高的介电常数，但是，要想用铁电陶瓷制作普通铁电陶瓷电容时，陶瓷介质很难实现。是由于铁电陶瓷强度低，在薄板上易碎裂，难以实际生产操作；第二，陶瓷介质很薄，易产生各种***缺陷，生产工艺困难。

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视频作者：四川华瓷科技有限公司

有一个共同的经验法则，陶瓷电容器的电压应降低至少25%，作为标准，但在其将暴露于电压纹波效应的环境中，这应增加到至少50%。部件的额定电压应至少为正常运行时可施加在部件上的电压的两倍。

更的计算可以通过观察击穿电压和额定电压之间的关系来实现。通常，制造商通过根据经验和判断对击穿电压加上裕度来计算额定电压。击穿电压由陶瓷电容器结构中所用材料的特性和材料中存在的缺陷决定。制造过程的质量越高，击穿电压也就越高——受所用材料的限制。有趣的是，电容值越高，任何制造缺陷对击穿电压的影响就越小。

陶瓷基绝缘材料的性能主导了计算；研究表明，片式陶瓷电容器哪家好，金属元素对结果影响不大。击穿电压通常由电介质内部的极化过程决定，而不是由任何穿决定。制造商通过确定元件工作特性内的区域来确定击穿电压。电压相关的质量保持在设备要求的范围内，片式陶瓷电容器的生产过程，其预测可靠性在规定范围内。然后，设计师应用的任何降额都是制造商降额系数的附加值，用于根据击穿电压计算额定电压。

要记住的一件事是，乍一看，过度降低组件的额定值似乎是的策略，但这将导致选择物理上更大或更昂贵的组件。所需的额外电路板空间可能不可行，或可能对电路板的布局和布线造成其他挑战。在可能存在机械振动的环境中，较大的部件也会增加部件内部的风险。与所有的设计决策一样，一些后果需要仔细考虑。

      1、利用贴片陶瓷电容器介质层的薄层化和多层叠层技术，使电容值大为扩大;

　　2、极高的度，在进行自动装配时有高度的准确性;

　　4、因仅有陶瓷和金属构成，故即便在高温，低温环境下亦无渐衰的现象出现，具有较强可靠性与稳定性;

　　5、低集散电容的特性可完成接近理论值的电路设计;

　　6、残留诱导系数小，确保上佳的频率特性;

　　7、因电解电容器领域也获得了电容，故使用寿命延长，更造于具有高可靠性的电源;

　　8、由于ESR低，频率特性良好，故较适合于高频，高密度类型的电源。

　　陶瓷贴片电容选型

　　选型要素

　　参数：电容值、容差、耐压、使用温度、尺寸、材质、直流偏置效应。

　　介质的性能

　　C0G电容器具有高温度补偿特性，适合作旁路电容和耦合电容

　　X7R电容器是温度稳定型陶瓷电容器，适合要求不高的工业应用

　　Z5U电容器特点是小尺寸和低成本，尤其适合应用于去耦电路

　　Y5V电容器温度特性差，但容量大，可取代低容铝电解电容

　　MLCC常用的有C0G(NP0)、X7R、Z5U、Y5V等不同的介质规格，片式陶瓷电容器的制备工艺，不同的规格有不同的特点和用途。C0G、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同，所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。