7、测量配置
7.1 示波器：美国泰克新5系混合信号示波器（MSO），带宽500MHZ，垂直分辨率12位ADC，4通道；
7.2 高速电流探头；
7.3 高压差分探头。
8、测试参数应包括
8.1 开通：turn on (tdon ，变频器用IGBT测试仪价格， tr ， di/dt ， Ipeak ， Eon ， Pon )；
8.2 关断：turn off (tdoff ， tf ， Eoff ，变频器用IGBT测试仪， Ic ， Poff)；
8.3 反向*** (Irr，Trr，di/dt，Qrr，变频器用IGBT测试仪现货供应，Erec)；
8.4 栅电荷：采用恒流驱动，电流可调范围：0～100mA；
8.5 短路（1200Ａmax）；
8.6 雪崩；
8.7 NTC(模块)测试：0-20KΩ；
8.8 主要测试参数精度偏差 ：< 3 % 。
1.1设备数量1套*1.2设备功能测试功率半导体器件静态参数*1.3设备组成设备包含硬件模块和软件模块两大部分*1.4硬件模块设备硬件部分应包括测试主机、测试线缆，测试夹具、控制电脑等*1.5软件模块设备软件部分应包括：1.操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能；2. 图形化操作界面；主要参数 测试范围 精度要求 测试条件Vce集射极电压 150～3300V 150～500V±3%±1V。中/英文操作系统3.输出EXCEL、wor测试报告*4.切换大小功率测试模块，达到相应测试精度*5.可生成器件的I-V特性曲线，曲线上测试点数据可以导出到EXCEL表格；*6.同一测试条件的器件的测试曲线可以在软件内进行对比，新测曲线可以与原测曲线进行对比；2、设备尺寸2.1设备总体长度≤ 700 mm2.2设备总体宽度≤600mm2.3设备总体高度≤500mm
目的和用途该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATEDGATEB。1.2 测试对象IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块2.测试参数及指标2.1开关时间测试单元技术条件开通时间测试参数：1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns4、开通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ100～500mJ±5%±2mJ5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000A/uS6、开通峰值功率Pon：10W～250kW
变频器用IGBT测试仪-华科智源由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司是一家从事“IGBT测试仪,功率器件测试仪,首件检测仪”的公司。华科智源IGBT测试仪针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统。自成立以来，我们坚持以“诚信为本，稳健经营”的方针，勇于参与市场的良性竞争，使“华科智源,HUSTEC,”品牌拥有良好口碑。我们坚持“服务至上，用户至上”的原则，使华科智源在电子测量仪器中赢得了客户的信任，树立了良好的企业形象。 特别说明：本信息的图片和资料仅供参考，欢迎联系我们索取准确的资料，谢谢！
