测试参数：ICES 集电极-发射极漏电流IGESF 正向栅极漏电流 IGESR 反向栅极漏电流BVCES 集电极-发射极击穿电压VGETH 栅极-发射极阈值电压VCESAT 集电极-发射极饱和电压ICON 通态电极电流VGEON 通态栅极电压VF 二极管正向导通压降 整个测试过程自动完成，便携式IGBT测试仪价格，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。包装与运输由专人负责，每个部分随机文件包括发货清单、出厂合格证、试验报告和主要器件说明书等。
9）尖峰***电容用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。?电容容量200μF?分布电感小于10nH?脉冲电流2kA ?工作温度室温～40℃?工作湿度<70% 11）动态测试续流二极管用于防止测试过程中的过电压。?反向电压 8000V(2只串联)?-di/dt大于2000A/μs?通态电流 1200A?压降小于1V?浪涌电流大于20kA?反向***时间小于2μs?工作温度室温～40℃?工作湿度<70%12）安全工作区测试续流二极管?反向电压12kV(3只串联)?-di/dt大于2000A/μS?通态电流1200A?压降小于1V?西门子PLC逻辑控制15）数据采集与处理单元用于数据采集及数据处理，主要技术参数要求如下：。浪涌电流大于20kA?反向***时间小于2μS?工作温度室温～40℃?工作湿度<70%
华科智源IGBT电参数测试仪，便携式IGBT测试仪，可用于多种封装形式的IGBT的测试，还可以测量大功率二极管、IGBT模块、大功率IGBT、大功率双极型晶体管等器件的VI特性测试，广泛应用于轨道交通，电动汽车，风力发电，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析。001～10V 集电极电流ICE： 0-1600A 集电极电压VCEs： 0。测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，便携式IGBT测试仪批发，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试。
深圳市华科智源科技有限公司，是一家从事功率半导体测试系统自主研发制造与综合测试分析服务的高新技术企业，坐落于改革开放之都-中国深圳，业务为半导体功率器件智能检测准备研制生产，公司产品主要涉及***T首件检测仪，便携式IGBT测试仪现货供应，MOS管直流参数测试仪，MOS管动态参数测试仪，IGBT动态参数测试系统，IGBT静态参数测试仪，在线式检修用IGBT测试仪，变频器检修用IGBT测试仪，IGBT模块测试仪，轨道交通检修用IGBT测试仪，风力发电检修用IGBT测试仪。公司拥有一批长期从事自动控制与应用、计算技术与应用、微电子技术、电力电子技术方面的人才。
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