什么是大功率半导体元件？其用途为何？
凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶闸管）、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等，便携式IGBT测试仪加工，其工作电流与电压乘积若大于1KW以上，便携式IGBT测试仪批发，均可属于大功率的范围。如下图片所示。此类元件多用于车船，工厂的动力，光电及其他能源的转换上。操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能。
5 包装、标志和运输卖方负责整套设备的包装和运输，并负担由此产生的费用。出厂调试结束、出厂前预验收完成后，卖方将为每个柜子量身定做包装柜，保证包装坚固，便携式IGBT测试仪，能适应中国境内公路、铁路运输，并兼顾设备在现场保存时间的要求。包装与运输由专人负责，每个部分随机文件包括发货清单、出厂合格证、试验报告和主要器件说明书等。买方有权要求卖方委托第三方进行有关参数的测试，以确保出厂测试的参数真实有效。
IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求1）阈值电压测试电路阈值电压测试电路（仅示出IEC标准测试电路）?满足表格9测试参数要求?低压开关电源要求：Vcc=12V (针对上图电路)?可调电源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V?集电极电流测试电路精度：10～50mA±1%±0.5mA；50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA；2）集射极截止电压/集射极截止电流测试电路集射极截止电压/发射极截止电流测试电路?高压充电电源：10~2kV连续可调?支撑电容：额定电压2kV?3、集电极电压：50～100V±3%±1V 100～500V±3%±5V 500V～1000V±3%±10V 4、栅极驱动电流：满足5A以下测试要求。集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA?集电极电压VCES：200～1500V±2%±1V
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