测量目的：对模块的电压降参数进行检测， 可判断模块是否处于正常状态。功率模块的VCE-IC特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化，封装用IGBT测试仪批发，饱和压降Vcesat会逐渐劣化。因此，定期检测可预防发现功率模块故障。且变流器由多个模块组成，由于个体差异，封装用IGBT测试仪加工，大电流情况下的参数也会存在个体差异。因此，测量大电流情况下的各个模块实际技术参数，进行跟踪管理，封装用IGBT测试仪，可有效保障机车中间直流环节可靠运行。IGBT模块VCE-IC特线（单管），Vcesat随电流变大而增大。等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。
3.3主要技术要求
3.3.1 动态参数测试单元技术要求
3.3.1.1 环境条件
1)海拔高度：海拔不超过1000m；
2)温度：储存环境温度 -20℃～60℃；
3)工作环境温度： -5℃～40℃；
4)湿度：20%RH 至 90%RH (无凝露，湿球温度计温度: 40℃以下)；
5)震动：抗能力按7级设防，地面抗震动能力≤0.5g；
6)防护：无较大灰尘，腐蚀或性气体，导电粉尘等空气污染的损害；
测试参数：ICES 集电极-发射极漏电流IGESF 正向栅极漏电流 IGESR 反向栅极漏电流BVCES 集电极-发射极击穿电压VGETH 栅极-发射极阈值电压VCESAT 集电极-发射极饱和电压ICON 通态电极电流VGEON 通态栅极电压VF 二极管正向导通压降 整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。卖方出厂试验详细方案应提前提交买方评估，通过买方评估合格后实施方可视为有效试验。
封装用IGBT测试仪批发-华科智源-封装用IGBT测试仪由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司坚持“以人为本”的企业理念，拥有一支高素质的员工***，力求提供更好的产品和服务回馈社会，并欢迎广大新老客户光临惠顾，真诚合作、共创美好未来。华科智源——您可信赖的朋友，公司地址：深圳市宝安区西乡街道智汇创新中心B座606，联系人：陈少龙。2011年，我们在深圳地铁运营公司前海车辆段大修车间，进行了实际的展示与操作，厂方提供了许多元件来测试，其中一部份由于损毁严重，在一开始的功能与元件判别过程，即被判出局，而未进入实质的参数量测，也有全新的IGBT，量测结果完全合乎出厂规格。
