华科智源IGBT测试仪制造标准华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。主要参数 测试范围 精度要求 测试条件Vce集射极电压 150～3300V 150～500V±3%±1V。GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）GB 13869-2008 用电安全导则GB19517-2004 ***电器设备安全技术规范GB 4208-2008 外壳防护等级（IP 代码）（IEC 60529：2001，检修用IGBT测试仪现货供应，IDT）GB/T 191-2008 包装储运图示标志GB/T 15139-1994 电工设备结构总技术条件GB/T 2423 电工电子产品环境试验GB/T 3797-2005 电气控制设备GB/T 4588.3-2002 印制板的设计和使用GB/T 9969-2008 工业产品使用说明书总则GB/T 6988-2008 电气技术用文件的编制GB/T 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2 部分:整流二极管
7要求?卖方应通过ISO 9001质量论证。?卖方所提供的元件，必须是经过检验合格的器件，否则，检修用IGBT测试仪厂家，买方有权拒付货款。?买方有权要求卖方委托第三方进行有关参数的测试，检修用IGBT测试仪，以确保出厂测试的参数真实有效。（2）主要技术参数 1）基本参数 功率源： 5000V1200A 2）栅极-发射极漏电流IGES IGES： 0。?在调试期间发现元件有缺陷或受到损坏，应由卖方负责免费更换并予以赔偿。?卖方由于自身原因而延迟交货时，买方有权按商务规定方法向卖方收取罚款。?卖方对技术规范保证数据的有效性及交货保质期等应由双方协商确定并签署在合同中。
9）尖峰***电容用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。?电容容量200μF?分布电感小于10nH?1mJ50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000A/uS 6、开通峰值功率Pon：10W～250kW。脉冲电流2kA ?工作温度室温～40℃?工作湿度<70% 11）动态测试续流二极管用于防止测试过程中的过电压。?反向电压 8000V(2只串联)?-di/dt大于2000A/μs?通态电流 1200A?压降小于1V?浪涌电流大于20kA?反向***时间小于2μs?工作温度室温～40℃?工作湿度<70%12）安全工作区测试续流二极管?反向电压12kV(3只串联)?-di/dt大于2000A/μS?通态电流1200A?压降小于1V?浪涌电流大于20kA?反向***时间小于2μS?工作温度室温～40℃?工作湿度<70%
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