现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT(绝缘栅型场效应晶体管)已成为大功率元件的主流,在市场上居于主导地位。由于科技进步,电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展,尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换..1)可调充电电压源用来给电容器充电,实现连续可调的直流母线电压,满足动态测试、短路电流的测试需求。..等领域,使半导体开发技术人员在市场需求下,变频器用IGBT测试仪价格,对大功率元件的发展技术,变频器用IGBT测试仪,持续在突破。
华科智源IGBT测试仪制造标准华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外,变频器用IGBT测试仪现货供应,在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。5环境湿度:50%±20%(相对湿度)4、动态测试基本配置4。GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)GB 13869-2008 用电安全导则GB19517-2004 ***电器设备安全技术规范GB 4208-2008 外壳防护等级(IP 代码)(IEC 60529:2001,变频器用IGBT测试仪厂家,IDT)GB/T 191-2008 包装储运图示标志GB/T 15139-1994 电工设备结构总技术条件GB/T 2423 电工电子产品环境试验GB/T 3797-2005 电气控制设备GB/T 4588.3-2002 印制板的设计和使用GB/T 9969-2008 工业产品使用说明书总则GB/T 6988-2008 电气技术用文件的编制GB/T 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2 部分:整流二极管
1)可调充电电压源
用来给电容器充电,实现连续可调的直流母线电压,满足动态测试、短路电流的测试需求。
?输入电压380V±10%
?频率50HZ;
?输出电压500~1500V可调(可多个电源组成)
?输出电流10A;
?电压控制精度1%
?电压调整率<0.1%;
?纹波电压<1%;
?工作温度室温~40℃;
?保护有过压、过流、短路保护功能。
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