目的和用途该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。1.2 测试对象IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块2.测试参数及指标2.1开关时间测试单元技术条件开通时间测试参数：1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns4、开通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ100～500mJ±5%±2mJ5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000A/uS6、开通峰值功率Pon：10W～250kW
8）高压大功率开关
?电流能力200A
?隔离耐压10kV
?响应时间150ms
?脉冲电流20kA（不小于10ms）
?工作方式气动控制
?工作气压0.4MPa
?工作温度室温～40℃
?工作湿度<70%
9）尖峰***电容
用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。
?电容容量200μF
?分布电感小于10nH
?脉冲电流200A
?工作温度室温～40℃
?工作湿度<70%
