测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门极漏流）、IGESR（反向门极漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门极电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集极漏流）、VF（二极管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数， 所有小电流指标保证1%重复测试精度， 大电流指标保证2%以内重复测试精度。华科智源IGBT测试仪制造标准 华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。
半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。每个电流模块，都具有***的供电系统，以便在测试时，大功率IGBT测试仪加工，提供内部电路及电池组充电之用； 可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。2）集射极截止电压/集射极截止电流测试电路 集射极截止电压/发射极截止电流测试电路 。
1）可调充电电压源
用来给电容器充电，实现连续可调的直流母线电压，满足动态测试、短路电流的测试需求。
?输入电压380V±10%
?频率50HZ；
?输出电压500～1500V可调（可多个电源组成）
?输出电流10A；
?电压控制精度1%
?电压调整率<0.1%；
?纹波电压<1%；
?工作温度室温～40℃；
?保护有过压、过流、短路保护功能。
开通特性测试采用双脉冲测试法。由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值（一般为被测器件额定电压的1/2），设定±VGG到测试要求值，计算机控制接通开关S1，并控制输出被测双脉冲触发信号，开通和关断被测器件两次，大功率IGBT测试仪价格，被测器件次开通后，集电极电流IC上升，直至被测器件饱和导通且IC达到测试规定值时，关断被测器件(设为t1时刻)，之后电感L经二极管（Q1内部二极管）续流，IC迅速减小，直至IC降为零时，第二次开通被测器件(设为t2时刻)，此后电感L中的电流向IC转移，IC迅速上升(若L足够大，大功率IGBT测试仪，t1～t2间隔足够短，L中的电流可视为恒流），大功率IGBT测试仪厂家，直至被测器件再次达到饱和导通时(设为t3时刻)，关断被测器件。数据采集后，后台软件自动及时绘出相应图表，以方便现场判断使用。记录下被测器件IC、VCE以及VGE在t2～t3之间的导通波形，其中，VCE采样到示波器的CH1通道，IC取样到示波器的CH2通道，VGE采样到示波器的CH3通道，示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机，由计算机对测试波形进行分析与计算，后显示测试结果。
大功率IGBT测试仪加工-华科IGBT测试系统由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司在电子测量仪器这一领域倾注了诸多的热忱和热情，华科智源一直以客户为中心、为客户创造价值的理念、以品质、服务来赢得市场，衷心希望能与社会各界合作，共创成功，共创辉煌。包装与运输由专人负责，每个部分随机文件包括发货清单、出厂合格证、试验报告和主要器件说明书等。相关业务欢迎垂询，联系人：陈少龙。
