华瓷MLCC技术社区(图)-MLCC制备-MLCC

C0G类MLCC的容量多在1000pF以下，该类电容器低功耗涉及的主要性能指标是损耗角正切值tanδ(DF)。传统的电极(NME)的C0G产品DF值范围是(2.0～8.0)×10-4，而技术创新型碱金属电极(BME)的C0G产品DF值范围为(1.0～2.5)×10-4，MLCC制备，约是前者的(31～50)%。该类产品在载有T/R模块电路的G***、CDMA、无绳电话、蓝牙、GPS系统中低功耗特性较为显著。

X7R(X5R)类MLCC的容量主要集中在1000pF以上，该类电容器低功耗主要涉及的性能指标是等效串联电阻(ESR)。

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视频作者：四川华瓷科技有限公司

   简易平行板电容器

简易平行板电容器的基本结构由中间介质层和外层导电金属电极组成，重庆贴片电容器主要包括陶瓷介质、金属内电极和金属外电极。在结构上，多层陶瓷电容器是一种多层叠放结构，重庆贴片电容器可视为多个单板电容器并联。多层陶瓷电容器的生产离不开陶瓷粉末。重庆贴片电容器下面简单介绍一下瓷粉和金属电极的共烧技术。

失效模式分析

（1）在电场作用下，陶瓷电容器的击穿 ***遵循弱点击穿理论，而局部放电是产生弱点***的根源。除因温度冷热变化产生热应力导致开裂外，对于环氧包封型高压陶瓷电容，MLCC报价，无论是留边型还是满银型电容都存在着电极边缘电场集中和陶瓷-环氧的结合界面等比较薄弱的环节。环氧包封陶瓷电容器由于环氧树脂固化冷却过程体积收缩，MLCC，产生的内应力以残余应力的形式保留在包封层中，并作用于陶瓷-环氧界面，劣化界面的粘结。在电场作用下，组成高压陶瓷电容瓷体的钙钛矿型钛酸锶铁类陶瓷（SPBT）会发生电机械应力，产生电致应变。当环氧包封层的残余应力较大时，二者联合作用极可能造成包封与陶瓷体之间脱壳，产生气隙，从而降低电压水平。

（2）介质内空洞：导致空洞产生的主要因素为陶瓷粉料内的有机或无机污染、烧结过程控制不当等。空洞的产生极易导致漏电，而漏电又导致器件内局部发热，进一步降低陶瓷介质的绝缘性能从而导致漏电增加。该过程循环发生，不断恶化，导致其耐压水平降低。