3、系统基本参数
3.1 电 压 源:220VAC ±10% ,大功率IGBT测试仪现货供应,50Hz/60Hz 20A RMS;
3.2 加热功能:室温~150℃;
3.3 测试功能:可测试IGBT模块及FRD;
3.4 环境温度:25℃±15℃;
3.5 环境湿度:50% ±20% (相对湿度)
4、动态测试基本配置
4.1 集电级电压 Vcc: 50 ~ 1000V;
4.2 集电极电流 Ic: 50 ~ 1000A ***负载;
4.3 电流持续时间 It: 10 ~ 1000 us 单个脉冲或双脉冲的总时间; 4.4 脉 冲 模 式: 单脉冲和双脉冲;
4.5 单电流脉冲的设置: Vcc,Ic, 电感值(自动计算脉宽);
4.6 双电流脉冲的设置: Vcc, Ic,大功率IGBT测试仪, 电感值,间隙时间(10到50us)(脉宽自动计算);
(开启Qrr测试:第二个脉宽=间隙时间,10~50us);
4.7 设备寄生电感 Lint: < 65nH(***动态测试)。
为何老化的元件必须尽早发现及尽早更换?
当功率元件老化时,元件的内阻在导通时必定会加大,因而使温度升高,并使其效能降低。长期使用后若温升过高时,会使元件在关闭时的漏电流急遽升高。凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATEDGATEB。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加),进而使半导体的接口产生大量崩溃,大功率IGBT测试仪价格,而将此元件完全烧毁。当元件损毁时,会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤,所以,必须即早发现更换。
大功率IGBT测试仪-华科IGBT测试仪由深圳市华科智源科技有限公司提供。“IGBT测试仪,功率器件测试仪,首件检测仪”选择深圳市华科智源科技有限公司,公司位于:深圳市宝安区西乡街道智汇创新中心B座606,多年来,华科智源坚持为客户提供好的服务,联系人:陈少龙。半导体元件除了本身功能要良好之外,其各项参数能否达到电路上的要求,必须定期测量,否则产品的质量特性很难保证,尤其是较大的功率元件,因具有耗损性,易老化及效率降低,因不平衡导致烧毁,甚至在使用中会发生。欢迎广大新老客户来电,来函,亲临指导,洽谈业务。华科智源期待成为您的长期合作伙伴!