如何执行导通参数与漏电流的量测？
?测试条件中待输入的数字，必须依照元件生产厂所提供的规格来输入，而测量结果，大功率IGBT测试仪价格，亦必须在其所规定的限额内，否则，便为不良品。
大功率I g b t模块测试系统简介
我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统具备下列测试能力：
☆可单机***操作，测试范围达2000V及50A。
☆外接大电流扩展装置，检测范围可扩展1600A。
其中：Vcc 试验电压源±VGG 栅极电压C1 箝位电容Q1 陪测器件（实际起作用的是器件中的续流二极管）L 负载电感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换IC 集电极电流取样电流传感器DUT 被测器件关断时间采用单脉冲测试，由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值（一般为被测器件额定电压的1/2），设定±VGG到测试要求值，大功率IGBT测试仪，开关被测器件DUT一次，被测器件的开冲持续时间必须保证DUT完全饱和，同时监测集电极电流IC、栅极-发射极电压VGE和集电极-发射极电压VCE，记录下被测器件IC、VCE以及VGE的波形，大功率IGBT测试仪现货供应，其中，VCE采样到示波器的CH1通道，IC取样到示波器的CH2通道，VGE采样到示波器的CH3通道，示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机，由计算机对测试波形进行分析与计算，后显示测试结果。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换。
测试参数：ICES 集电极-发射极漏电流IGESF 正向栅极漏电流 IGESR 反向栅极漏电流BVCES 集电极-发射极击穿电压VGETH 栅极-发射极阈值电压VCESAT 集电极-发射极饱和电压ICON 通态电极电流VGEON 通态栅极电压VF 二极管正向导通压降 整个测试过程自动完成，大功率IGBT测试仪加工，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。在调试期间发现元件有缺陷或受到损坏，应由卖方负责免费更换并予以赔偿。
华科风力发电IGBT-大功率IGBT测试仪现货供应由深圳市华科智源科技有限公司提供。可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。深圳市华科智源科技有限公司实力不俗，信誉可靠，在广东 深圳 的电子测量仪器等行业积累了大批忠诚的客户。华科智源带着精益求精的工作态度和不断的完善创新理念和您携手步入辉煌，共创美好未来！
