封装用IGBT测试仪批发-华科IGBT测试仪

IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求1）阈值电压测试电路阈值电压测试电路（仅示出IEC标准测试电路）?满足表格9测试参数要求?低压开关电源要求：Vcc=12V (针对上图电路)?可调电源：0.1～10V±1%±0.01V；卖方所提供的元件，必须是经过检验合格的器件，否则，买方有权拒付货款。分辨率0.01V?集电极电流测试电路精度：10～50mA±1%±0.5mA；50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA；2）集射极截止电压/集射极截止电流测试电路集射极截止电压/发射极截止电流测试电路?高压充电电源：10~2kV连续可调?支撑电容：额定电压2kV?集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA?集电极电压VCES：200～1500V±2%±1V

表格12动态参数测试部分组成

序号组成部分单位数量

1可调充电电源套1

2直流电容器个8

3动态测试负载电感套1

4安全工作区测试负载电感套1

5补充充电回路限流电感L个1

6短路保护放电回路套1

7正常放电回路套1

8高压大功率开关个5

9尖峰***电容个1

10主回路正向导通晶闸管个2

11动态测试续流二极管个2

12安全工作区测试续流二极管个3

13被测器件旁路开关个1

14工控机及操作系统套1

15数据采集与处理单元套1

16机柜及其面板套1

17压接夹具及其配套系统套1

18加热装置套1

19其他辅件套1

什么是大功率半导体元件？其用途为何？

凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶闸管）、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等，其工作电流与电压乘积若大于1KW以上，封装用IGBT测试仪，均可属于大功率的范围。如下图片所示。当元件损毁时，会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤，所以，必须即早发现更换。此类元件多用于车船，工厂的动力，光电及其他能源的转换上。