4验收和测试1)验收由双方共同参加，按照技术规范书的技术要求逐项完成所有测试项，便携式IGBT测试仪价格，检验单元是否功能齐全、模块完整、正常运行。由卖方现场安装、测试，便携式IGBT测试仪批发，买方确认测试合格通过后完成验收。150～3300VIc集射极电流 1～200A 1～200A±3%±1A。2)卖方负责***和实施整个单元的组装、调试、系统集成工作；负责免费培训并提供培训教材。培训后，应能达到用户能基本完全***熟练操作单元进行功率半导体性能测试，并能解决实际工程问题。
主要参数测试范围精度要求测试条件
Vce
集射极电压150～3300V150～500V±3%±1V；
500～1000V±2%±2V；
1000～3300V±1%±5V；150～3300V
Ic
集射极电流1～200A1～200A±3%±1A；1～200A
Vge
栅极电压-30V～30V-30～0V±1%±0.1V；
0～+30V±1%±0.1V-30V～30V
Qg
栅极电荷400~20000nCIg: 0～50A±3%±0.1mA;400~20000nC
td(on)、td(off)
开通/关断延迟10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns
tr、tf
上升/下降时间10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；
Eon、Eoff
开通/关断能量1～5000mJ1～50mJ±2%±0.1mJ；
50～200mJ±2%±1mJ；
200～1000mJ±2%±2mJ；
1000～5000mJ±1%±5mJ；
三、华科智源IGBT测试仪系统特征：A：测量多种IGBT、MOS管 B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；（正本、副本）技术资料，应至少有一份采用中文，另一份技术资料可以是英文或中文。C：脉冲宽度 50uS~300uSD：Vce测量精度2mVE：Vce测量范围>10VF：电脑图形显示界面G：智能保护被测量器件H：上位机携带数据库功能I：MOS IGBT内部二极管压降J : 一次测试IGBT全部静态参数K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，便携式IGBT测试仪，可以做失效分析以及故障***）L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；
便携式IGBT测试仪价格-华科IGBT测试设备由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司是从事“IGBT测试仪,功率器件测试仪,首件检测仪”的企业，公司秉承“诚信经营，用心服务”的理念，为您提供更好的产品和服务。买方有权要求卖方委托第三方进行有关参数的测试，以确保出厂测试的参数真实有效。欢迎来电咨询！联系人：陈少龙。
