3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路 通态压降测试电路?高压充电电源：10~1500V连续可调?支撑电容：额定电压2kV?饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10V±3%±0.01V?栅极电压输出要求：5～25V±1%±0.01V ?集电极电流测试设备精度： 200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A?测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定4）栅极漏电流测试电路 栅极漏电流测试电路?可调电源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V；?小电流测量设备精度：0.01～10μA±2%±0.005μA?栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；IGBT模块VCE-IC特线（单管），Vcesat随电流变大而增大。?脉冲时间：40~100ms可设定
11）动态测试续流二极管
用于防止测试过程中的过电压。
?压降小于1V
?浪涌电流大于20kA
?反向***时间小于2μs
?工作温度室温～40℃
?工作湿度<70%
12）安全工作区测试续流二极管
?浪涌电流大于20kA
?反向***时间小于2μS
?工作温度室温～40℃
?工作湿度<70%
13）被测器件旁路开关
被测安全接地开关，设备不运行时，轨道交通用IGBT测试仪加工，被测接地。
?电流能力DC 50A
?隔离耐压15kV
?响应时间150ms
?工作方式气动控制
?工作气压0.4MPa
?工作温度室温～40℃
?工作湿度<70%
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