光刻胶组分及功能
光引发剂
光引发剂吸收光能（辐射能）后经激发生成活性中间体，并进一步引发聚合反应或其他化学反应，是光刻胶的关键组分，对光刻胶的感光度、分辨率等起决定性作用。
树脂
光刻胶的基本骨架，是其中占比较大的组分，主要决定曝光后光刻胶的基本性能，包括硬度、柔韧性、附着力、曝光前后对溶剂溶解度的变化程度、光学性能、耐老化性、耐蚀刻性、热稳定性等。
溶剂
溶解各组分，是后续聚合反应的介质，另外可调节成膜。
单体
含有可聚合官能团的小分子，也称之为活性稀释剂，一般参加光固化反应，NR9 1500PY光刻胶哪里有，可降低光固化体系粘度并调节光固化材料的各种性能。
发展
Futurrex在开发产品方面已经有很长的历史
我们的客户一直在同我们共同合作，创造出了很多强势的产品。
在晶体管(transistor) ，封装，微机电。显示器，OLEDs，波导(waveguides) ，VCSELS，
成像，电镀，纳米碳管，NR9 1500PY光刻胶厂家，微流体，芯片倒装等方面。我们都已经取得一系列的技术突破。
目前Futurrex有数百个技术在美国商标局备案。
Futurrex 产品目录
正性光刻胶
增强粘附性正性光刻胶
负性光刻胶
增强粘附性负性光刻胶
先进工艺负性光刻胶
用于lift-off工艺的负性光刻胶
非光刻涂层
平坦化，保护、粘接涂层
氧化硅旋涂(spin-on glas)
掺杂层旋涂
辅助化学品
边胶清洗液
显影液
去胶液
Futurrex所有光刻产品均无需加增粘剂(HMDS)
光刻胶去除
半导体器件制造技术中，通常利用光刻工艺将掩膜板上的掩膜图形转移到半导体结构表面的光刻胶层中。通常光刻的基本工艺包括涂胶、曝光和显影等步骤。
在现有技术中，去除光刻胶层的方法是利用等离子体干法去胶。将带有光刻胶层的半导体结构置于去胶机内，在射频电压的能量的作用下，灰化气体被解离为等离子体。所述等离子体和光刻胶发生反应，从而将光刻胶层去除。
而在一些半导体器件设计时，考虑到器件性能要求，需要对特定区域进行离子注入，使其满足各种器件不同功能的要求。一部分闪存产品前段器件形成时，需要利用前面存储单元cell区域的层多晶硅与光刻胶共同定义掺杂的区域，NR9 1500PY光刻胶，由于光刻胶是作为高浓度金属掺杂时的阻挡层，在掺杂的过程中，光刻胶的外层吸附了一定浓度的金属离子，这使得光刻胶外面形成一层坚硬的外壳。
这层坚硬的外壳可以采取两种现有方法去除:方法一，采用湿法刻蚀，但这种工艺容易产生光刻胶残留；方法二，先通过干法刻蚀去除硬光刻胶外壳，再采用传统的干法刻蚀去光刻胶的方法去除剩余的光刻胶的方法，但是这种方式增加了一步工艺流程，浪费能源，而且降低了生产效率；同时，传统的光刻胶干法刻蚀去除光刻胶时，NR9 1500PY光刻胶哪家好，光刻胶外面的外壳阻挡了光刻胶内部的热量的散发，光刻胶内部膨胀应力增大，导致层多晶硅倒塌的现象。
北京赛米莱德有限公司-NR9 1500PY光刻胶由 北京赛米莱德贸易有限公司提供。 北京赛米莱德贸易有限公司是一家从事“光刻胶”的公司。自成立以来，我们坚持以“诚信为本，稳健经营”的方针，勇于参与市场的良性竞争，使“赛米莱德”品牌拥有良好口碑。我们坚持“服务至上，用户至上”的原则，使赛米莱德在半导体材料中赢得了客户的信任，树立了良好的企业形象。 特别说明：本信息的图片和资料仅供参考，欢迎联系我们索取准确的资料，谢谢！
