IGBT半导体器件测试系统的主要应用领域概括如下：
?半导体元器件检测中心——应用本公司测试系统可扩大检测中心的检测范围、提高检测效率，提升检测水平，增加经济效益；
?半导体元器件生产厂 —— 应用本公司测试系统可对半导体元器件生产线的成品进行全参数的测试、筛选、分析，风力发电用IGBT测试仪批发，以确保出厂产品的合格率；
?电子电力产品生产、检修厂——应用本公司测试系统可对所应用到的半导体元器件，风力发电用IGBT测试仪，尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；
?航天、领域 ——— 应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，风力发电用IGBT测试仪现货供应，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；
11）动态测试续流二极管
用于防止测试过程中的过电压。
?压降小于1V
?浪涌电流大于20kA
?反向***时间小于2μs
?工作温度室温～40℃
?工作湿度<70%
12）安全工作区测试续流二极管
?浪涌电流大于20kA
?反向***时间小于2μS
?工作温度室温～40℃
?工作湿度<70%
13）被测器件旁路开关
被测安全接地开关，设备不运行时，被测接地。
?电流能力DC 50A
?隔离耐压15kV
?响应时间150ms
?工作方式气动控制
?工作气压0.4MPa
?工作温度室温～40℃
?工作湿度<70%
主要参数测试范围精度要求测试条件
Vce
集射极电压150～3300V150～500V±3%±1V；
500～1000V±2%±2V；
1000～3300V±1%±5V；150～3300V
Ic
集射极电流1～200A1～200A±3%±1A；1～200A
Vge
栅极电压-30V～30V-30～0V±1%±0.1V；
0～+30V±1%±0.1V-30V～30V
Qg
栅极电荷400~20000nCIg: 0～50A±3%±0.1mA;400~20000nC
td(on)、td(off)
开通/关断延迟10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns
tr、tf
上升/下降时间10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；
Eon、Eoff
开通/关断能量1～5000mJ1～50mJ±2%±0.1mJ；
50～200mJ±2%±1mJ；
200～1000mJ±2%±2mJ；
1000～5000mJ±1%±5mJ；
风力发电用IGBT测试仪-华科半导体器件测试仪由深圳市华科智源科技有限公司提供。200~1000±2%±5ns tr、tf上升/下降时间 10～1000ns 10~200±2%±2ns。深圳市华科智源科技有限公司实力不俗，信誉可靠，在广东 深圳 的电子测量仪器等行业积累了大批忠诚的客户。华科智源带着精益求精的工作态度和不断的完善创新理念和您携手步入辉煌，共创美好未来！
