主要参数测试范围精度要求测试条件
Vce
集射极电压150～3300V150～500V±3%±1V；
500～1000V±2%±2V；
1000～3300V±1%±5V；150～3300V
Ic
集射极电流1～200A1～200A±3%±1A；1～200A
Vge
栅极电压-30V～30V-30～0V±1%±0.1V；
0～+30V±1%±0.1V-30V～30V
Qg
栅极电荷400~20000nCIg: 0～50A±3%±0.1mA;400~20000nC
td(on)、td(off)
开通/关断延迟10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns
tr、tf
上升/下降时间10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；
Eon、Eoff
开通/关断能量1～5000mJ1～50mJ±2%±0.1mJ；
50～200mJ±2%±1mJ；
200～1000mJ±2%±2mJ；
1000～5000mJ±1%±5mJ；
测试参数多且完整、应用领域更广泛，但只要使用其基本的2项功能：「开启」电流压降，「关闭」电流的漏电流，轨道交通用IGBT测试仪批发，就可知道大功半导体有没有老化的现象。
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现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，轨道交通用IGBT测试仪价格，在市场上居于主导地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ，轨道交通用IGBT测试仪厂家，带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换..（2）主要技术参数 1）基本参数 功率源： 5000V1200A 2）栅极-发射极漏电流IGES IGES： 0。..等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。
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