三、华科智源IGBT测试仪系统特征：A：测量多种IGBT、MOS管 B：脉冲电流1200A，封装用IGBT测试仪，电压5KV，测试范围广；2IGBT模块动态测试参数及指标测试单元对IGBT模块和FRD的动态参数及其他参数的定义满足IEC60747-9以及IEC60747-2。C：脉冲宽度 50uS~300uSD：Vce测量精度2mVE：Vce测量范围>10VF：电脑图形显示界面G：智能保护被测量器件H：上位机携带数据库功能I：MOS IGBT内部二极管压降J : 一次测试IGBT全部静态参数K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障***）L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；
近两年IGBT测试仪持续，新能源汽车，轨道交通，风力发电等等都需要大量的IGBT模块，所以我们华科智源推出了大功率IGBT测试仪，可以测试1200A，封装用IGBT测试仪厂家，5000V以内的IGBT模块，基本可以涵盖现阶段的IGBT模块的测试了，我们IGBT测试仪还可以在线检测模块的电性能参数，对一些检修，维护领域的工作有比较好的帮助，目前国内我们华科智源不光是IGBT静态测试仪，包括动态测试仪，封装用IGBT测试仪批发，与的设备也可以放在一起竞争了，而且我们不怕竞争，这对我们是一种促进。华科智源IGBT测试仪制造标准 华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。
3、系统基本参数
3.1 电 压 源：220VAC ±10% ，50Hz/60Hz 20A RMS；
3.2 加热功能：室温～150℃；
3.3 测试功能：可测试IGBT模块及FRD；
3.4 环境温度：25℃±15℃；
3.5 环境湿度：50% ±20% （相对湿度）
4、动态测试基本配置
4.1 集电级电压 Vcc： 50 ~ 1000V；
4.2 集电极电流 Ic： 50 ~ 1000A ***负载；
4.3 电流持续时间 It： 10 ~ 1000 us 单个脉冲或双脉冲的总时间； 4.4 脉 冲 模 式： 单脉冲和双脉冲；
4.5 单电流脉冲的设置： Vcc，封装用IGBT测试仪现货供应，Ic， 电感值（自动计算脉宽）；
4.6 双电流脉冲的设置： Vcc， Ic， 电感值，间隙时间（10到50us）(脉宽自动计算)；
（开启Qrr测试：第二个脉宽＝间隙时间，10~50us）；
4.7 设备寄生电感 Lint: < 65nH（***动态测试）。
华科功率器件测试仪-封装用IGBT测试仪由深圳市华科智源科技有限公司提供。型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析，。深圳市华科智源科技有限公司在电子测量仪器这一领域倾注了诸多的热忱和热情，华科智源一直以客户为中心、为客户创造价值的理念、以品质、服务来赢得市场，衷心希望能与社会各界合作，共创成功，共创辉煌。相关业务欢迎垂询，联系人：陈少龙。
