大多数压力传感器的静态特性与环境温度有着密切的联系。实际工作中由于传感器的工作环境温度变化较大．又由于温度变化引起的热输出也较大，这将会带来较大的测量误差；继而影响到压力传感器的静态特性，所以设计中必须采取措施以减少或消除温度变化带来的测量影响。
压力传感器是把压力的变化转换成电阻值的变化来进行测量的，通常压力传感器输出的微小信号需通过后续的放大器进行放大，再传输给处理电路才能进行压力的检测。其阻值随压力的变化而变化。在传感器的应用中，为使传感器的技术指标及性能不受温度变化影响而采取一系列具体技术措施。称为温度补偿技术。一般传感器都在标准温度(20±5)℃下标定，但其工作环境温度也可能由零下几十摄氏度升到零上几十摄氏度。传感器由多个环节组成。尤其是金属材料和半导体材料制成的敏感元件，其静特性与温度有着密切的关系。信号调理电路的电阻、电容等元件特性基本不随温度变化。所以必须采取有效措施以抵消或减弱温度变化对传感器特性造成的影响。即必须进行压力传感器的温度补偿。
霍尔压力传感器
霍尔压力传感器是基于某些半导体材料的霍尔效应制成的。霍尔效应是指当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，VPRQ-A5-10KS-4压力传感器，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象。电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。
在导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得导线中的电子受到洛伦兹力而聚集，从而在电子聚集的方向上产生一个电场，此电场将会使后来的电子受到电力作用而平衡掉磁场造成的洛伦兹力，使得后来的电子能顺利通过不会偏移，此称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。
当磁场为一交变磁场时，霍尔电动势也为同频率的交变电动势，建立霍尔电动势的时间极短，故其响应频率高。常用霍尔元件的材料大都是半导体，包括N型硅(Si)、锑化铟(InSb)、铟InAs)、锗(Ge)、GaAs)及多层半导体质结构材料。
压力传感器是检测压力，并将压力信号转换为电信号并成线性输出的装置。压力传感器在自动化设备上的应用非常广泛，压力传感器的正常安装至关重要，一旦安装不正确将导致压力测量不准确。
1、保证压力传感器垂直受力，压力传感器与力的方向保持垂直，尽量避免有夹角。2、保证压力传感器受力点受力，防止压偏。3、保证压力传感器有形变的空间。4、尽量缩减机构，以减少力传递障碍。5、尽量避免剪切力。6、如需配合功装使用，尽量选用拉压式传感器。7、如多个压力传感器一起使用，必须保证水平安装，以免偏载。8、避免传感器过载使用。
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