大功率IGBT测试仪加工-华科智源-大功率IGBT测试仪

目的和用途该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，大功率IGBT测试仪厂家，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATEDGATEB。1.2 测试对象IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块2.测试参数及指标2.1开关时间测试单元技术条件开通时间测试参数：1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns4、开通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ100～500mJ±5%±2mJ5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000A/uS6、开通峰值功率Pon：10W～250kW

3.6VCES集射极截止电压0~5000V集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～50mA±1%±0.1mA；集电极电压VCES：0-5000V±1.5%±2V；*3.7 ICES集射极截止电流0.01～50mA集电极电压VCES：50～500V±2%±1V；500～5000V±1.5%±2V；集电极电流ICES：0.001～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～150mA±1%±0.1mA；*3.8VCE(sat)饱和导通压降0.001～10V集电极电流ICE：0-1600A集电极电压VCEs：0.001～10V±0.5%±0.001V栅极电压Vge：5～40V±1%±0.01V集电极电流ICE：0～100A±1%±1A；100～1600A±2%±2A；在调试期间发现元件有缺陷或受到损坏，应由卖方负责免费更换并予以赔偿。*3.9Iges栅极漏电流0.01～10μA栅极漏电流IGEs：0.01～10μA±2%±0.005μA栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；Vce=0V；*3.10VF正向特性测试0.1～5V二极管导通电压Vf：0.1～5V±1%±0.01V电流IF：0～100A±2%±1A；100～1600A±1.5%±2A；

3、系统基本参数

3.1 电 压 源：220VAC ±10% ，大功率IGBT测试仪价格，50Hz/60Hz 20A RMS；

3.2 加热功能：室温～150℃；

3.3 测试功能：可测试IGBT模块及FRD；

3.4 环境温度：25℃±15℃；

3.5 环境湿度：50% ±20% （相对湿度）

4、动态测试基本配置

4.1 集电级电压 Vcc： 50 ~ 1000V；

4.2 集电极电流 Ic： 50 ~ 1000A ***负载；

4.3 电流持续时间 It： 10 ~ 1000 us 单个脉冲或双脉冲的总时间； 4.4 脉 冲 模 式： 单脉冲和双脉冲；

4.5 单电流脉冲的设置： Vcc，Ic，大功率IGBT测试仪加工， 电感值（自动计算脉宽）；

4.6 双电流脉冲的设置： Vcc， Ic，大功率IGBT测试仪， 电感值，间隙时间（10到50us）(脉宽自动计算)；

（开启Qrr测试：第二个脉宽＝间隙时间，10~50us）；

4.7 设备寄生电感 Lint: < 65nH（***动态测试）。