3、技术指标*3.1机台可测试器件类型二极管、MOSFET、IGBT单管及模组*3.2机台可测IGBT项目及测试范围VGE(th)栅极阈值电压VCES集射极截止电压ICES集射极截止电流VCE(sat)饱和导通压降Iges栅极漏电流VF二极管导通电压可以测5000V，便携式IGBT测试仪，1600A以下的IGBT模块*3.3机台可测MOS项目Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、***(on)、Gfs3.4测试项目测量范围测试条件与精度*3.5 VGE(th)栅极阈值电压0.1～10VVGE：0.1～10V±1%±0.01V；解析度：0.01V集电极电流Ic：10～50mA±1%±0.5mA；买方有权要求卖方委托第三方进行有关参数的测试，以确保出厂测试的参数真实有效。50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；
IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求1）阈值电压测试电路阈值电压测试电路（仅示出IEC标准测试电路）?满足表格9测试参数要求?低压开关电源要求：Vcc=12V (针对上图电路)?可调电源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V?集电极电流测试电路精度：10～50mA±1%±0.5mA；50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA；2）集射极截止电压/集射极截止电流测试电路集射极截止电压/发射极截止电流测试电路?高压充电电源：10~2kV连续可调?支撑电容：额定电压2kV?集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性。1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA?集电极电压VCES：200～1500V±2%±1V
开通特性测试采用双脉冲测试法。由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值（一般为被测器件额定电压的1/2），设定±VGG到测试要求值，计算机控制接通开关S1，并控制输出被测双脉冲触发信号，开通和关断被测器件两次，被测器件次开通后，集电极电流IC上升，直至被测器件饱和导通且IC达到测试规定值时，关断被测器件(设为t1时刻)，之后电感L经二极管（Q1内部二极管）续流，便携式IGBT测试仪批发，IC迅速减小，直至IC降为零时，第二次开通被测器件(设为t2时刻)，此后电感L中的电流向IC转移，IC迅速上升(若L足够大，t1～t2间隔足够短，L中的电流可视为恒流），直至被测器件再次达到饱和导通时(设为t3时刻)，便携式IGBT测试仪加工，关断被测器件。工作湿度 13）被测器件旁路开关被测安全接地开关，设备不运行时，被测接地。记录下被测器件IC、VCE以及VGE在t2～t3之间的导通波形，其中，VCE采样到示波器的CH1通道，IC取样到示波器的CH2通道，VGE采样到示波器的CH3通道，便携式IGBT测试仪价格，示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机，由计算机对测试波形进行分析与计算，后显示测试结果。
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