负光阻光刻胶厂家-北京赛米莱德有限公司-负光阻光刻胶

光刻胶分类

光刻胶按其形成图形的极性可以分为：正性光刻胶和负性光刻胶。正胶指的是聚合物的长链分子因光照而截断成短链分子；负胶指的是聚合物的短链分子因光照而交链长链分子。 短链分子聚合物可以被显影液溶解掉，因此正胶的***部分被去掉，而负胶的***部分被保留。

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光刻胶主要用于图形化工艺

以半导体行业为例，负光阻光刻胶，光刻胶主要用于半导体图形化工艺。图形化工艺是半导体制造过程中的工艺。图形化可以简单理解为将设计的图像从掩模版转移到晶圆表面合适的位置。

一般来讲图形化主要包括光刻和刻蚀两大步骤，分别实现了从掩模版到光刻胶以及从光刻胶到晶圆表面层的两步图形转移，流程一般分为十步:1.表面准备，2.涂胶，3.软烘焙，4.对准和***，5.显影，6.硬烘焙，7.显影检查，8.刻蚀，9.去除光刻胶，10.终检查。

具体来说，在光刻前首先对于晶圆表面进行清洗，主要采用相关的湿***，包括氨水等。

晶圆清洗以后用旋涂法在表面涂覆一层光刻胶并烘干以后传送到光刻机里。在掩模版与晶圆进行对准以后，负光阻光刻胶厂家，光线透过掩模版把掩模版上的图形投影在光刻胶上实现***，负光阻光刻胶报价，这个过程中主要采用掩模版、光刻胶、光刻胶配套以及相应的气体和湿***。

对***以后的光刻胶进行显影以及再次烘焙并检查以后，实现了将图形从掩模版到光刻胶的次图形转移。在光刻胶的保护下，对于晶圆进行刻蚀以后剥离光刻胶然后进行检查，实现了将图形从光刻胶到晶圆的第二次图形转移。

目前主流的刻蚀办法是等离子体干法刻蚀，主要用到含氟和含体。

   光刻胶的主要技术参数

1．灵敏度（Sensitivity）

灵敏度是衡量光刻胶***速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，所需的***剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。

2．分辨率（resolution）

区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。

光刻胶的分辨率是一个综合指标，影响该指标的因素通常有如下3个方面：

(1) ***系统的分辨率。

(2) 光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。

(3) 前烘、***、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。  

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