大功率IGBT测试仪现货供应-华科IGBT测试系统

7要求?卖方应通过ISO 9001质量论证。?卖方所提供的元件，必须是经过检验合格的器件，否则，买方有权拒付货款。?买方有权要求卖方委托第三方进行有关参数的测试，以确保出厂测试的参数真实有效。?在调试期间发现元件有缺陷或受到损坏，大功率IGBT测试仪，应由卖方负责免费更换并予以赔偿。?卖方由于自身原因而延迟交货时，买方有权按商务规定方法向卖方收取罚款。5环境湿度：50%±20%（相对湿度）4、动态测试基本配置4。?卖方对技术规范保证数据的有效性及交货保质期等应由双方协商确定并签署在合同中。

三、华科智源IGBT测试仪系统特征：A：测量多种IGBT、MOS管 B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；6）短路保护放电回路 紧急情况下快速放电，保证紧急情况时快速使设备处于安全电位。C：脉冲宽度 50uS~300uSD：Vce测量精度2mVE：Vce测量范围>10VF：电脑图形显示界面G：智能保护被测量器件H：上位机携带数据库功能I：MOS IGBT内部二极管压降J : 一次测试IGBT全部静态参数K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障***）L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；

其中：Vcc 试验电压源±VGG 栅极电压C1 箝位电容Q1 陪测器件（实际起作用的是器件中的续流二极管）L 负载电感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换IC 集电极电流取样电流传感器DUT 被测器件关断时间采用单脉冲测试，由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值（一般为被测器件额定电压的1/2），大功率IGBT测试仪加工，设定±VGG到测试要求值，开关被测器件DUT一次，被测器件的开冲持续时间必须保证DUT完全饱和，同时监测集电极电流IC、栅极-发射极电压VGE和集电极-发射极电压VCE，记录下被测器件IC、VCE以及VGE的波形，其中，大功率IGBT测试仪批发，VCE采样到示波器的CH1通道，大功率IGBT测试仪现货供应，IC取样到示波器的CH2通道，VGE采样到示波器的CH3通道，示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机，由计算机对测试波形进行分析与计算，后显示测试结果。现今PowerMOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。