




光刻胶市场
据统计资料显示,2017年中国光刻胶行业产量达到7.56万吨,较2016年增加0.29万吨,其中,中国本土光刻胶产量为4.41万吨,与7.99万吨的需求量差异较大,说明我国供给能力还需提升。
国内企业的光刻胶产品目前还主要用于PCB领域,代表企业有晶瑞股份、科华微电子。
在半导体应用领域,随着汽车电子、物联网等发展,会在一定程度上增加对G线、I线的需求,NR9 3000P光刻胶价格,利好G线、I线等生产企业。预计G线正胶今后将占据50%以上市场份额,I线正胶将占据40%左右的市场份额,DUV等其他光刻胶约占10%市场份额,给予北京科华、苏州瑞红等国内公司及美国futurrex的光刻胶较大市场机会。
光刻工艺重要性二
光刻胶的***波长由宽谱紫外向g线→i线→KrF→ArF→EUV(13.5nm)的方向移动。随着***波长的缩短,光刻胶所能达到的极限分辨率不断提高,光刻得到的线路图案精密度更佳,而对应的光刻胶的价格也更高。
光刻光路的设计,有利于进一步提升数值孔径,随着技术的发展,数值孔径由0.35发展到大于1。相关技术的发展也对光刻胶及其配套产品的性能要求变得愈发严格。
工艺系数从0.8变到0.4,其数值与光刻胶的产品质量有关。结合双掩膜和双刻蚀等技术,现有光刻技术使得我们能够用193nm的激光完成10nm工艺的光刻。
为了实现7nm、5nm制程,传统光刻技术遇到瓶颈,EUV(13.5nm)光刻技术呼之欲出,台积电、三星也在相关领域进行布局。EUV光刻光路基于反射设计,不同于上一代的折射,NR9 3000P光刻胶哪里有,其所需光刻胶主要以无机光刻胶为主,如金属氧化物光刻胶。
6,坚膜
坚膜也叫后烘,是为了去除由于显影液的浸泡引起胶膜软化、溶胀现象,能使胶膜附着能力增强,康腐蚀能力提高。坚膜温度通常情况高于前烘和***后烘烤的温度 100-140度 10-30min,7,显影检验,光刻胶钻蚀、图像尺寸变化、套刻对准不良、光刻胶膜损伤、线条是否齐、陡,针KONG、小岛。
8刻蚀
就是将涂胶前所垫基的薄膜中没有被光刻胶覆盖和保护的那部分进行腐蚀掉,达到将光刻胶上的图形转移到下层材料的目的。湿法刻蚀,SIO2,NR9 3000P光刻胶,AL, Poly-Si 等薄膜,干法腐蚀。
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