IGBT测试装置技术要求（1）设备功能IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试。2反向***技术条件 测试参数： 1、Irr(反向***电流)：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、Qrr(反向***电荷)：1～1000uC 1～50uC±5%±0。系统的测试原理符合相应的，系统为***式单元，检修用IGBT测试仪，封闭式结构，具有升级扩展潜能。IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试，检修用IGBT测试仪厂家，在IGBT的检测中，采用大电流脉冲对IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测。为提供稳定的大电流脉冲，采用了支撑电容补偿及步进充电的方法，解决IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测问题。
7、测量配置
7.1 示波器：美国泰克新5系混合信号示波器（MSO），带宽500MHZ，垂直分辨率12位ADC，4通道；
7.2 高速电流探头；
7.3 高压差分探头。
8、测试参数应包括
8.1 开通：turn on (tdon ， tr ， di/dt ， Ipeak ， Eon ， Pon )；
8.2 关断：turn off (tdoff ， tf ，检修用IGBT测试仪价格， Eoff ， Ic ， Poff)；
8.3 反向*** (Irr，Trr，di/dt，Qrr，Erec)；
8.4 栅电荷：采用恒流驱动，电流可调范围：0～100mA；
8.5 短路（1200Ａmax）；
8.6 雪崩；
8.7 NTC(模块)测试：0-20KΩ；
8.8 主要测试参数精度偏差 ：< 3 % 。
测试参数：ICES 集电极-发射极漏电流IGESF 正向栅极漏电流 IGESR 反向栅极漏电流BVCES 集电极-发射极击穿电压VGETH 栅极-发射极阈值电压VCESAT 集电极-发射极饱和电压ICON 通态电极电流VGEON 通态栅极电压VF 二极管正向导通压降 整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。4)湿度：20%RH至90%RH(无凝露，湿球温度计温度:40℃以下)。
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