大功率半导体器件为何有老化的问题？
任何产品都有设计使用寿命，同一种产品不同的使用环境和是否得到相应的维护，延长产品使用寿命和设备良好运行具有极为重要。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加)，进而使半导体的接口产生大量崩溃，而将此元件完全烧毁。功率元件由于经常有大电流往复的冲击，大功率IGBT测试仪加工，对半导体结构均具有一定的耗损性及***性，若其工作状况又经常在其安全工作区的边缘，大功率IGBT测试仪，更会加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一样是不可避免的问题。
3.3主要技术要求
3.3.1 动态参数测试单元技术要求
3.3.1.1 环境条件
1)海拔高度：海拔不超过1000m；
2)温度：储存环境温度 -20℃～60℃；
3)工作环境温度： -5℃～40℃；
4)湿度：20%RH 至 90%RH (无凝露，湿球温度计温度: 40℃以下)；
5)震动：抗能力按7级设防，地面抗震动能力≤0.5g；
6)防护：无较大灰尘，腐蚀或性气体，导电粉尘等空气污染的损害；
参数名称符号参数名称符号
开通延迟时间td(on)关断延迟时间td(off)
上升时间tr下降时间tf
开通时间ton关断时间toff
开通损耗Eon关断损耗Eoff
栅极电荷Qg
短路电流ISC//
可测量的FRD动态参数
参数名称符号参数名称符号
反向***电流IRM反向***电荷Qrr
反向***时间trr反向***损耗Erec
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