9）尖峰***电容用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。?电容容量200μF?分布电感小于10nH?脉冲电流2kA ?工作温度室温～40℃?工作湿度<70% 11）动态测试续流二极管用于防止测试过程中的过电压。?反向电压 8000V(2只串联)?-di/dt大于2000A/μs?通态电流 1200A?压降小于1V?浪涌电流大于20kA?反向恢复时间小于2μs?工作温度室温～40℃?工作湿度<70%12）安全工作区测试续流二极管?反向电压12kV(3只串联)?-di/dt大于2000A/μS?通态电流1200A?压降小于1V?浪涌电流大于20kA?同一测试条件的器件的测试曲线可以在软件内进行对比，新测曲线可以与原测曲线进行对比。反向恢复时间小于2μS?工作温度室温～40℃?工作湿度<70%
现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ，带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换..机车、汽车、船舶控制系统生产厂——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对。..等领域，检修用IGBT测试仪，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，检修用IGBT测试仪加工，持续在突破。
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