现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。数据采集后，后台软件自动及时绘出相应图表，以方便现场判断使用。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ，轨道交通用IGBT测试仪批发，带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换....等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，轨道交通用IGBT测试仪厂家，持续在突破。
静态及动态测试系统技术规范供货范围一览表序号名称型号单位数量1半导体静态及动态测试系统HUSTEC-2010套11范围本技术规范提出的是限度的要求，并未对所有技术细节作出规定，轨道交通用IGBT测试仪现货供应，也未充分引述有关标准和规范的条文，轨道交通用IGBT测试仪，供货方应提供符合工业标准和本技术规范的产品。4)湿度：20%RH至90%RH(无凝露，湿球温度计温度:40℃以下)。本技术规范所使用的标准如遇与供货方所执行的标准不一致时，应按较高标准执行。
目的和用途该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。2测试对象 IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块 2。1.2 测试对象IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块2.测试参数及指标2.1开关时间测试单元技术条件开通时间测试参数：1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns4、开通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ100～500mJ±5%±2mJ5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000A/uS6、开通峰值功率Pon：10W～250kW
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