







碳化硅(SiC)是第三代化合物半导体材料。半导体产业的基石是芯片,制作芯片的材料按照历史进程分为:一代半导体材料(大部分为目前广泛使用的高纯度硅),二代化合物半导体材料(、磷化铟),第三代化合物半导体材料(碳化硅、氮化) 。碳化硅因其优越的物理性能:高禁带宽度(对应高击穿电场和高功率密度)、高电导率、高热导率,将是未来较被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。
碳化硅的硬度仅次于金刚石,碳化硅颗粒批发,可以作为砂轮等磨具的磨料,因此对其进行机械加工主要是利用金刚石砂轮磨削、研磨和抛光,其中金刚石砂轮磨削加工的效率较高,是加工SiC的重要手段。但是SiC材料不仅具有高硬度的特点,高脆性、低断裂韧性也使得其磨削加工过程中易引起材料的脆性断裂从而在材料表面留下表面破碎层,且产生较为严重的表面与亚表层损伤,影响加工精度。因此,海南碳化硅颗粒,深入研究SiC磨削机理与亚表面损伤对于提高SiC磨削加工效率和表面质量具有重要意义。
碳化硅用作耐火材料的数量大于用作磨料。黑碳化硅耐火材料主要用以制造碳化硅制品,如重结晶碳化硅制品,燃气轮机构件,喷嘴,氮化硅结合碳化硅制件,高炉高温区衬材,碳化硅颗粒脱氧剂,高温窑炉构件等。黑碳化硅耐火材料中的含量大于90%,主要用以制造耐中等高温的窑炉构件。这些构件除利用碳化硅的耐热性,导热性外,在很多场合还兼用它的化学稳定性。黑碳化硅耐火材料含量要求大于83%,主要用于出铁槽,铁水包,炼锌业和海绵铁制造业等的内衬。
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