3)IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路 通态压降测试电路?高压充电电源:10~1500V连续可调?支撑电容:额定电压2kV?饱和通态压降电压探头精度要求:0.1~10V±3%±0.01V?栅极电压输出要求:5~25V±1%±0.01V ?集电极电流测试设备精度: 200~500A±3%±1A;500~1000A±2%±2A?测试脉冲宽度:0.1~1ms可设定4)栅极漏电流测试电路 栅极漏电流测试电路?可调电源:±1V~±40V±2%±0.1V;?400~20000nCtd(on)、td(off)开通/关断延迟 10~1000ns 10~200±2%±2ns。小电流测量设备精度:0.01~10μA±2%±0.005μA?栅极电压Vge:±1V~40V±1%±0.1V;?脉冲时间:40~100ms可设定