主要参数测试范围精度要求测试条件
Vce
集射极电压150～3300V150～500V±3%±1V；
500～1000V±2%±2V；
1000～3300V±1%±5V；150～3300V
Ic
集射极电流1～200A1～200A±3%±1A；1～200A
Vge
栅极电压-30V～30V-30～0V±1%±0.1V；
0～+30V±1%±0.1V-30V～30V
Qg
栅极电荷400~20000nCIg: 0～50A±3%±0.1mA;400~20000nC
td(on)、td(off)
开通/关断延迟10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns
tr、tf
上升/下降时间10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；
Eon、Eoff
开通/关断能量1～5000mJ1～50mJ±2%±0.1mJ；
50～200mJ±2%±1mJ；
200～1000mJ±2%±2mJ；
1000～5000mJ±1%±5mJ；
测量目的：对模块的电压降参数进行检测， 可判断模块是否处于正常状态。2关断：turnoff(tdoff,tf,Eoff,Ic,Poff)。功率模块的VCE-IC特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化，饱和压降Vcesat会逐渐劣化。因此，定期检测可预防发现功率模块故障。且变流器由多个模块组成，大功率IGBT测试仪现货供应，由于个体差异，大电流情况下的参数也会存在个体差异。因此，测量大电流情况下的各个模块实际技术参数，进行跟踪管理，可有效保障机车中间直流环节可靠运行。IGBT模块VCE-IC特线（单管），Vcesat随电流变大而增大。
半导体元件除了本身功能要良好之外，其各项参数能否达到电路上的要求，必须定期测量，否则产品的质量特性很难保证，尤其是较大的功率元件，因具有耗损性，易老化及效率降低，因不平衡导致烧毁，大功率IGBT测试仪，甚至在使用中会发生。半导体元件有许多参数都很重要，有些参数如：放大倍率，触发参数，闩扣，保持参数，崩溃电压等，是提供给工程师在设计电路时的依据，在检测元件是否有老化的现象时，仅须测量导通参数及漏电流二项即可。所以对新产品及使用中的元件参数的筛选及检查更为重要。 半导体元件的每一个参数，依其极性的不同，大功率IGBT测试仪加工，都须要一个的测量电路，我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统，具有一组继电器形成的矩阵电路，依每个参数的定义，形成千变万化的电路，再依元件的出厂规格加上额定的电流或电压后，在极短的时间内将所须要的数据量测出来，且有些参数从量测的数据经快速运算即可得知其特性是否在规定范围内。
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