华科智源IGBT测试仪制造标准华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。半导体元件除了本身功能要良好之外，其各项参数能否达到电路上的要求，必须定期测量，否则产品的质量特性很难保证，尤其是较大的功率元件，因具有耗损性，易老化及效率降低，因不平衡导致烧毁，甚至在使用中会发生。GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）GB 13869-2008 用电安全导则GB19517-2004 ***电器设备安全技术规范GB 4208-2008 外壳防护等级（IP 代码）（IEC 60529：2001，便携式IGBT测试仪现货供应，IDT）GB/T 191-2008 包装储运图示标志GB/T 15139-1994 电工设备结构总技术条件GB/T 2423 电工电子产品环境试验GB/T 3797-2005 电气控制设备GB/T 4588.3-2002 印制板的设计和使用GB/T 9969-2008 工业产品使用说明书总则GB/T 6988-2008 电气技术用文件的编制GB/T 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2 部分:整流二极管
参数名称符号参数名称符号
开通延迟时间td(on)关断延迟时间td(off)
上升时间tr下降时间tf
开通时间ton关断时间toff
开通损耗Eon关断损耗Eoff
栅极电荷Qg
短路电流ISC//
可测量的FRD动态参数
参数名称符号参数名称符号
反向***电流IRM反向***电荷Qrr
反向***时间trr反向***损耗Erec
大功率半导体器件为何有老化的问题？
任何产品都有设计使用寿命，同一种产品不同的使用环境和是否得到相应的维护，延长产品使用寿命和设备良好运行具有极为重要。01mA 栅极电压VGE： 0V 6）栅极-发射极阈值电压 VGEth： 1-10V±2%±0。功率元件由于经常有大电流往复的冲击，便携式IGBT测试仪价格，对半导体结构均具有一定的耗损性及***性，便携式IGBT测试仪，若其工作状况又经常在其安全工作区的边缘，更会加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一样是不可避免的问题。
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