测试参数多且完整、应用领域更广泛，封装用IGBT测试仪厂家，但只要使用其基本的2项功能：「开启」电流压降，「关闭」电流的漏电流，就可知道大功半导体有没有老化的现象。
?可移动型仪器，使用方便，封装用IGBT测试仪批发，测试简单快速，立即提供测试结果与数值。
?适用的半导体元件种类多，尤其能测大功率元件。
?用户能确实掌握新采购元件的质量，封装用IGBT测试仪，避免用到瑕疵或品。
?完全由计算机控制、快速的设定参数。
?适用于实验室和老化筛选的测试。
?操作非常简单、速度快。
?完全计算机自动判断、自动比对。
6）短路保护放电回路紧急情况下快速放电，保证紧急情况时快速使设备处于安全电位。?回路耐压 DC10kV ?放电电流 10kA（5ms）?工作温度室温～40℃；?4验收和测试 3)验收试验应在-10～40℃环境温度下进行，验收完成后测试平台及外部组件和装置均应安装在买方的位置上。工作湿度<70%7）正常放电回路用于设备正常关机时放电，使设备处于安全电位。?回路耐压 10kV ?放电电流 50A?工作温度室温～40℃；?工作湿度<70%8）高压大功率开关?电流能力2000A?隔离耐压10kV?响应时间150ms?脉冲电流20kA（不小于10ms）?工作方式气动控制?工作气压0.4MPa?工作温度室温～40℃?工作湿度<70%
目的和用途该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。7测试夹具 1、控制方式：气动控制 2、控温范围：室温—150℃室温—125℃±1。1.2 测试对象IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块2.测试参数及指标2.1开关时间测试单元技术条件开通时间测试参数：1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns4、开通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ100～500mJ±5%±2mJ5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000A/uS6、开通峰值功率Pon：10W～250kW
封装用IGBT测试仪批发-华科半导体器件测试仪由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司是一家从事“IGBT测试仪,功率器件测试仪,首件检测仪”的公司。2反向***技术条件 测试参数： 1、Irr(反向***电流)：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、Qrr(反向***电荷)：1～1000uC 1～50uC±5%±0。自成立以来，我们坚持以“诚信为本，稳健经营”的方针，勇于参与市场的良性竞争，使“华科智源,HUSTEC,”品牌拥有良好口碑。我们坚持“服务至上，用户至上”的原则，使华科智源在电子测量仪器中赢得了客户的信任，树立了良好的企业形象。 特别说明：本信息的图片和资料仅供参考，欢迎联系我们索取准确的资料，谢谢！
