变频器用IGBT测试仪价格-华科半导体器件测试仪

9）尖峰***电容用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。?电容容量200μF?分布电感小于10nH?脉冲电流2kA ?工作温度室温～40℃?工作湿度<70% 11）动态测试续流二极管用于防止测试过程中的过电压。?反向电压 8000V(2只串联)?-di/dt大于2000A/μs?通态电流 1200A?压降小于1V?浪涌电流大于20kA?反向***时间小于2μs?工作温度室温～40℃?工作湿度<70%12）安全工作区测试续流二极管?反向电压12kV(3只串联)?2测试对象 IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块 2。-di/dt大于2000A/μS?通态电流1200A?压降小于1V?浪涌电流大于20kA?反向***时间小于2μS?工作温度室温～40℃?工作湿度<70%

其中：Vcc 试验电压源±VGG 栅极电压C1 箝位电容Q1 陪测器件（实际起作用的是器件中的续流二极管）L 负载电感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换IC 集电极电流取样电流传感器DUT 被测器件关断时间采用单脉冲测试，由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值（一般为被测器件额定电压的1/2），设定±VGG到测试要求值，变频器用IGBT测试仪批发，开关被测器件DUT一次，被测器件的开冲持续时间必须保证DUT完全饱和，同时监测集电极电流IC、栅极-发射极电压VGE和集电极-发射极电压VCE，变频器用IGBT测试仪，记录下被测器件IC、VCE以及VGE的波形，变频器用IGBT测试仪厂家，其中，变频器用IGBT测试仪价格，VCE采样到示波器的CH1通道，IC取样到示波器的CH2通道，VGE采样到示波器的CH3通道，示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机，由计算机对测试波形进行分析与计算，后显示测试结果。同一测试条件的器件的测试曲线可以在软件内进行对比，新测曲线可以与原测曲线进行对比。