测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门极漏流）、IGESR（反向门极漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门极电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集极漏流）、VF（二极管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数， 所有小电流指标保证1%重复测试精度， 大电流指标保证2%以内重复测试精度。测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试。
半导体元件全自动测试系统，便携式IGBT测试仪厂家，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，便携式IGBT测试仪价格，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。本技术规范所使用的标准如遇与供货方所执行的标准不一致时，应按较高标准执行。每个电流模块，都具有***的供电系统，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用； 可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。
大功率半导体器件为何有老化的问题？
任何产品都有设计使用寿命，同一种产品不同的使用环境和是否得到相应的维护，延长产品使用寿命和设备良好运行具有极为重要。工作湿度 9）尖峰***电容 用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。功率元件由于经常有大电流往复的冲击，对半导体结构均具有一定的耗损性及***性，若其工作状况又经常在其安全工作区的边缘，更会加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一样是不可避免的问题。
测试参数：ICES 集电极-发射极漏电流IGESF 正向栅极漏电流 IGESR 反向栅极漏电流BVCES 集电极-发射极击穿电压VGETH 栅极-发射极阈值电压VCESAT 集电极-发射极饱和电压ICON 通态电极电流VGEON 通态栅极电压VF 二极管正向导通压降 整个测试过程自动完成，便携式IGBT测试仪，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。1有完备的安全控制单元，动态测试设备有传感器来保证操作者安全，设备任何门被打开均能快速切断高压电源。
便携式IGBT测试仪厂家-华科智源-便携式IGBT测试仪由深圳市华科智源科技有限公司提供。1mJ50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000A/uS 6、开通峰值功率Pon：10W～250kW。深圳市华科智源科技有限公司实力不俗，信誉可靠，在广东 深圳 的电子测量仪器等行业积累了大批忠诚的客户。华科智源带着精益求精的工作态度和不断的完善创新理念和您携手步入辉煌，共创美好未来！
